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參數(shù)資料
| 型號： | TH58100FT |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
| 中文描述： | 馬鞍山暫定東芝數(shù)字集成電路硅柵CMOS |
| 文件頁數(shù)： | 3/43頁 |
| 文件大?。?/td> | 421K |
| 代理商： | TH58100FT |
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TH58100FT
2001-03-05 3/43
VALID BLOCKS
(1)
SYMBOL
PARAMETER
MIN
TYP.
MAX
UNIT
N
VB
Number of Valid Blocks
8032
8192
Blocks
(1) The TH58100 occasionally contains unusable blocks. Refer to Application Note (14) toward the end of this document.
RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS
SYMBOL
PARAMETER
MIN
TYP.
MAX
UNIT
V
CC
Power Supply Voltage
2.7
3.3
3.6
V
V
IH
High Level input Voltage
2.0
V
CC
0.3
V
V
IL
Low Level Input Voltage
0.3
*
0.8
V
*
2 V (pulse width lower than 20 ns)
DC CHARACTERISTICS
(Ta 0° to 70°C, V
CC
2.7 V to 3.6 V)
SYMBOL
PARAMETER
CONDITION
MIN
TYP.
MAX
UNIT
I
IL
Input Leakage Current
V
IN
0 V to V
CC
10
A
I
LO
Output Leakage Current
V
OUT
0.4 V to V
CC
10
A
I
CCO1
Operating Current (Serial Read)
CE
V
IL
, I
OUT
0 mA, t
cycle
50 ns
10
30
mA
I
CCO3
Operating Current
(Command Input)
t
cycle
50 ns
10
30
mA
I
CCO4
Operating Current (Data Input)
t
cycle
50 ns
10
30
mA
I
CCO5
Operating Current
(Address Input)
t
cycle
50 ns
10
30
mA
I
CCO7
Programming Current
10
30
mA
I
CCO8
Erasing Current
10
30
mA
I
CCS1
Standby Current
CE
V
IH
1
mA
I
CCS2
Standby Current
CE
V
CC
0.2 V
100
A
V
OH
High Level Output Voltage
I
OH
400 A
2.4
V
V
OL
Low Level Output Voltage
I
OL
2.1 mA
0.4
V
I
OL
(
BY
/
RY
)
Output Current of
BY
/
RY
pin
V
OL
0.4 V
8
mA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TH58NVG1S3AFT | TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
| TH58NVG1S3AFT05 | TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
| TH7804A | 50 AMP LATCHING POWER RELAY |
| TH7804ACC | 50 AMP LATCHING POWER RELAY |
| TH7813A | 50 MHz 1024/2048 Linear CCDs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TH58512DC-T051(Y) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:IC E2PROM NAND 3V 512MBIT FDC22A |
| TH58BVG3S0FTAI0 | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:8GB SLC NAND TSOP 32NM (EEPROM) - Trays |
| TH58BYG2S3HBAI4 | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 1 |
| TH58BYG2S3HBAI6 | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:4GB SLC BENAND 24NM BGA 6.5X8 1.8V (EEPROM) 2K PAGE - Trays |
| TH58DVG4S0ETA20 | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
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