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參數(shù)資料
| 型號： | TH58100FT |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
| 中文描述： | 馬鞍山暫定東芝數(shù)字集成電路硅柵CMOS |
| 文件頁數(shù)： | 39/43頁 |
| 文件大?。?/td> | 421K |
| 代理商： | TH58100FT |
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TH58100FT
2001-03-05 39/43
(11)
When five address cycles are input
Although the device may read in a fifth address, it is ignored inside the chip.
Read operation
Program operation
Figure 22.
CLE
Address input
00H, 01H or 50H
WE
Internal read operation starts when
WE
goes High in the fourth cycle.
CE
WE
ALE
I/O
BY
/
RY
ignored
Figure 23.
CLE
Address input
80H
ignored
CE
WE
ALE
I/O
Data input
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TH58NVG1S3AFT | TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
| TH58NVG1S3AFT05 | TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
| TH7804A | 50 AMP LATCHING POWER RELAY |
| TH7804ACC | 50 AMP LATCHING POWER RELAY |
| TH7813A | 50 MHz 1024/2048 Linear CCDs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TH58512DC-T051(Y) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:IC E2PROM NAND 3V 512MBIT FDC22A |
| TH58BVG3S0FTAI0 | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:8GB SLC NAND TSOP 32NM (EEPROM) - Trays |
| TH58BYG2S3HBAI4 | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 1 |
| TH58BYG2S3HBAI6 | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:4GB SLC BENAND 24NM BGA 6.5X8 1.8V (EEPROM) 2K PAGE - Trays |
| TH58DVG4S0ETA20 | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
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