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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | V58C2128404SBLT6I |
| 廠商： | PROMOS TECHNOLOGIES INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 32M X 4 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66 |
| 封裝： | 0.400 X 0.875 INCH, PLASTIC, MS-024FC, TSOP2-66 |
| 文件頁數(shù)： | 13/60頁 |
| 文件大?。?/td> | 915K |
| 代理商： | V58C2128404SBLT6I |
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V58C2128(804/404/164)SB*I Rev. 1.3 March 2006
ProMOS TECHNOLOGIES
V58C2128(804/404/164)SB*I
Burst Write Timing
Once the burst of write data is concluded and given that no subsequent burst write operations are initiated,
the data strobe signal (DQS) transitions from a logic low level back to Hi-Z. This is referred to as the data
strobe “write postamble”. This transition happens nominally one-half clock period after the last data of the
burst cycle is latched into the device.
Once the burst of write data is concluded and given that no subsequent burst write operations are initiated,
(CAS Latency = Any; Burst Length = 4)
T0
T1
T2
T3
T4
WRITE
NOP
D0
D1
D2
D3
CK, CK
Command
DQS(nom)
DQ(nom)
tWPRES
tDQSS
tWPST
tDH
D0
D1
D2
D3
DQS(min)
DQ(min)
tDQSS(min)
D0
D1
D2
D3
DQS(max)
DQ(max)
tWPRES(min)
tDQSS(max)
tDS
tDH
tWPRES
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| V58C365164S5 | 4M X 16 DDR DRAM, 0.1 ns, PDSO66 |
| V608ME06 | VCO, 1900 MHz - 2270 MHz |
| V603ME07 | VCO, 1896 MHz - 1924 MHz |
| V6049001 | VCO, 1600 MHz - 2200 MHz |
| V610ME04 | VCO, 1950 MHz - 2150 MHz |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| V58C2128804S | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:HIGH PERFORMANCE 2.5 VOLT 128 Mbit DDR SDRAM |
| V58C2256 | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:HIGH PERFORMANCE 2.5 VOLT 256 Mbit DDR SDRAM |
| V58C2256164S | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:HIGH PERFORMANCE 2.5 VOLT 256 Mbit DDR SDRAM |
| V58C2256324SAB30 | 制造商:Marvell 功能描述:Marvell V58C2256324SAB30 |
| V58C2256324SAB33 | 制造商:Marvell 功能描述:Marvell V58C2256324SAB33 |
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