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參數(shù)資料
| 型號： | V58C2128404SBLT6I |
| 廠商： | PROMOS TECHNOLOGIES INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 32M X 4 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66 |
| 封裝： | 0.400 X 0.875 INCH, PLASTIC, MS-024FC, TSOP2-66 |
| 文件頁數(shù)： | 14/60頁 |
| 文件大?。?/td> | 915K |
| 代理商： | V58C2128404SBLT6I |
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ProMOS TECHNOLOGIES
V58C2128(804/404/164)SB*I
V58C2128(804/404/164)SB*I Rev. 1.3 March 2006
Write Interrupted by a Precharge
A Burst Write can be interrupted before completion of the burst by a Precharge command, with the only
restriction being that the interval that separates the commands be at least one clock cycle.
Write Interrupted by a Precharge Timing
Write with Auto Precharge
If A10 is high when a Write command is issued, the Write with auto Precharge function is performed. Any
new command to the same bank should not be issued until the internal precharge is completed. The internal
precharge begins after keeping tWR (min.).
Write with Auto Precharge Timing
(CAS Latency = 2; Burst Length = 8)
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
T10
T11
WriteA
NOP
PreA
NOP
CK, CK
Command
DQS
T12
DM
D0 D1 D2 D3
DQ
Data is masked
by Precharge Command
Data is masked
by DM input
DQS input ignored
D4 D5
tWR
D6
(CAS Latency = Any; Burst Length = 4)
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
D0
D1
D2
D3
NOP
WAP
NOP
BA
CK, CK
Command
DQS
DQ
tRAS(min)
tRP(min)
BA
NOP
T9
T10
tWR(min)
Begin Autoprecharge
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| V58C365164S5 | 4M X 16 DDR DRAM, 0.1 ns, PDSO66 |
| V608ME06 | VCO, 1900 MHz - 2270 MHz |
| V603ME07 | VCO, 1896 MHz - 1924 MHz |
| V6049001 | VCO, 1600 MHz - 2200 MHz |
| V610ME04 | VCO, 1950 MHz - 2150 MHz |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| V58C2128804S | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:HIGH PERFORMANCE 2.5 VOLT 128 Mbit DDR SDRAM |
| V58C2256 | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:HIGH PERFORMANCE 2.5 VOLT 256 Mbit DDR SDRAM |
| V58C2256164S | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:HIGH PERFORMANCE 2.5 VOLT 256 Mbit DDR SDRAM |
| V58C2256324SAB30 | 制造商:Marvell 功能描述:Marvell V58C2256324SAB30 |
| V58C2256324SAB33 | 制造商:Marvell 功能描述:Marvell V58C2256324SAB33 |
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