參數(shù)資料
型號(hào): V58C2128404SBLT6I
廠商: PROMOS TECHNOLOGIES INC
元件分類: DRAM
英文描述: 32M X 4 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66
封裝: 0.400 X 0.875 INCH, PLASTIC, MS-024FC, TSOP2-66
文件頁數(shù): 23/60頁
文件大?。?/td> 915K
代理商: V58C2128404SBLT6I
3
ProMOS TECHNOLOGIES
V58C2128(804/404/164)SB*I
V58C2128(804/404/164)SB*I Rev. 1.3 March 2006
60-Ball FBGA PIN OUT
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
VSSQ
NC
VDDQ
DQ3
NC
VDDQ
NC
VSSQ
VDD
NC
DQ0
NC
VDDQ
NC
DQ1
VSSQ
NC
VDDQ
NC
VDD
WE
CAS
RAS
BA1
BA0
A0
A10/AP
A2
A1
A5
A6
A7
A8
A9
CS
VREF
NC
A4
A3
NC
VDDQ
VSSQ
DQ2
NC
CKE
A11
CK
VSSQ
DQS
VSS
DM
CK
VSS
VDD
VSS
(x4)
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
VSSQ
DQ7
NC
VDDQ
DQ6
NC
VDDQ
NC
VSSQ
VDD
DQ0
DQ1
NC
VDDQ
DQ2
DQ3
VSSQ
NC
VDDQ
NC
VDD
WE
CAS
RAS
BA1
BA0
A0
A10/AP
A2
A1
A5
A6
A7
A8
A9
CS
VREF
NC
A4
A3
DQ5
VDDQ
VSSQ
DQ4
NC
CKE
A11
CK
VSSQ
DQS
VSS
DM
CK
VSS
VDD
VSS
(x8)
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
VSSQ
DQ15
DQ14
VDDQ
DQ13
DQ12
VDDQ
DQ3
VSSQ
VDD
DQ0
DQ2
DQ1
VDDQ
DQ4
DQ6
VSSQ
DQ5
LDQS
DQ7
VDDQ
LDM
VDD
WE
CAS
RAS
BA1
BA0
A0
A10/AP
A2
A1
A5
A6
A7
A8
A9
CS
VREF
NC
A4
A3
DQ11
VDDQ
VSSQ
DQ9
DQ10
DQ8
CKE
A11
CK
VSSQ
UDQS
VSS
UDM
CK
VSS
VDD
VSS
(x16) 12
3
7
8
9
12
3
7
8
9
12
3
7
8
9
X8 Device Ball Pattern
X4 Device Ball Pattern
X16 Device Ball Pattern
TOP VIEW
(See the ball through the package)
12
3
7
8
9
A
B
C
D
E
F
G
H
M
K
L
J
PIN A1 INDEX
相關(guān)PDF資料
PDF描述
V58C365164S5 4M X 16 DDR DRAM, 0.1 ns, PDSO66
V608ME06 VCO, 1900 MHz - 2270 MHz
V603ME07 VCO, 1896 MHz - 1924 MHz
V6049001 VCO, 1600 MHz - 2200 MHz
V610ME04 VCO, 1950 MHz - 2150 MHz
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
V58C2128804S 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:HIGH PERFORMANCE 2.5 VOLT 128 Mbit DDR SDRAM
V58C2256 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:HIGH PERFORMANCE 2.5 VOLT 256 Mbit DDR SDRAM
V58C2256164S 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:HIGH PERFORMANCE 2.5 VOLT 256 Mbit DDR SDRAM
V58C2256324SAB30 制造商:Marvell 功能描述:Marvell V58C2256324SAB30
V58C2256324SAB33 制造商:Marvell 功能描述:Marvell V58C2256324SAB33