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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | W25Q16CLSSIG |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 16M X 1 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| 封裝： | 0.208 INCH, GREEN, PLASTIC, SOIC-8 |
| 文件頁數(shù)： | 64/77頁 |
| 文件大?。?/td> | 2458K |
| 代理商： | W25Q16CLSSIG |
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W25Q16CL
Publication Release Date: July 08, 2010
- 67 -
Preliminary - Revision A
12.7 AC Electrical Characteristics (cont’d)
SPEC
DESCRIPTION
SYMBOL
ALT
MIN
TYP
MAX
UNIT
/HOLD Active Hold Time relative to CLK
tCHHH
5
ns
/HOLD Not Active Setup Time relative to CLK
tHHCH
5
ns
/HOLD Not Active Hold Time relative to CLK
tCHHL
5
ns
/HOLD to Output Low-Z
tHHQX(2)
tLZ
7
ns
/HOLD to Output High-Z
tHLQZ(2)
tHZ
12
ns
Write Protect Setup Time Before /CS Low
tWHSL(3)
20
ns
Write Protect Hold Time After /CS High
tSHWL(3)
100
ns
/CS High to Power-down Mode
tDP(2)
3
s
/CS High to Standby Mode without Electronic
Signature Read
tRES1(2)
3
s
/CS High to Standby Mode with Electronic Signature
Read
tRES2(2)
1.8
s
/CS High to next Instruction after Suspend
tSUS(2)
20
s
Write Status Register Time
tW
10
15
ms
Byte Program Time (First Byte) (4)
tBP1
30
50
s
Additional Byte Program Time (After First Byte) (4)
tBP2
2.5
12
s
Page Program Time
tPP
0.7
3
ms
Sector Erase Time (4KB)
tSE
30
200/400(5)
ms
Block Erase Time (32KB)
tBE1
120
800
ms
Block Erase Time (64KB)
tBE2
150
1000
ms
Chip Erase Time
tCE
3
10
s
Notes:
1.
Clock high + Clock low must be less than or equal to 1/fC.
2.
Value guaranteed by design and/or characterization, not 100% tested in production.
3.
Only applicable as a constraint for a Write Status Register instruction when Sector Protect Bit is set to 1.
4.
For multiple bytes after first byte within a page,
tBPN = tBP1 + tBP2 * N (typical) and tBPN = tBP1 + tBP2 * N (max), where N =
number of bytes programmed.
5.
Max Value tSE with <50K cycles is 200ms and >50K & <100K cycles is 400ms.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W25Q40BWUXIG | 4M X 1 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| WF128K32NA-200HM | 512K X 8 FLASH 12V PROM MODULE, 200 ns, CHIP66 |
| WS512K32N-45HI | 2M X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 45 ns, CHIP66 |
| WF128K32-70G4M5 | 512K X 8 FLASH 5V PROM MODULE, 70 ns, CQFP68 |
| WPS1M32-25MSCT | 4M X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 25 ns, SMA72 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W25Q16CLSSIP | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:2.5V 16M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
| W25Q16CLZPIG | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:2.5V 16M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
| W25Q16CLZPIP | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:2.5V 16M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
| W25Q16CV | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:3V 16M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
| W25Q16CVDAAG | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:3V 16M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
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