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參數(shù)資料
| 型號： | 28F016SA16-MBIT |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | Evaluation Kit/Evaluation System for the MAX5954L/MAX5954A |
| 中文描述： | （1兆比特× 16。2兆比特× 8）FlashFile記憶 |
| 文件頁數(shù)： | 18/48頁 |
| 文件大小： | 304K |
| 代理商： | 28F016SA16-MBIT |
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SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK
E
18
PRELIMINARY
Table 6. Command Bus Definitions
(1, 4)
First Bus Cycle
Second Bus Cycle
Command
Notes
Oper
Addr
Data
Oper
Addr
Data
Read Array
Write
X
FFH
Read Identifier
2
Write
X
90H
Read
IA
ID
Read Status Register
Write
X
70H
Read
X
SRD
Clear Status Register
Write
X
50H
Program
3
Write
X
40H / 10H
Write
PA
PD
Block Erase/Confirm
Write
X
20H
Write
BA
D0H
Program/Erase Suspend
Write
X
B0H
Program/Erase Resume
Write
X
D0H
NOTES:
PA:
Program Address
IA:
Identifier Address
Bus operations are defined in Table 3.
Following the Intelligent Identifier command, two read operations access manufacturer and device codes. A
0
= 0 for
manufacturer code, A
0
= 1 for device code. A
1
—A
21
= 0.
Either 40H or 10H command is valid although the standard is 40H.
When writing commands to the device, the upper data bus [DQ
8
–DQ
15
] should be either V
IL
or V
IH
, to minimize current
draw.
PD:
Program Data
ID:
Identifier Data
BA:
Block Address
SRD:
Status Register Data
1.
2.
3.
4.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 28F016SV | 16-MBIT (1 MBIT x 16, 2 MBIT x 8) FlashFile MEMORY |
| 28F016SA | 16-Mbit(1 Mbit x 16, 2 Mbit x 8) FlashFile Memory(16-M位(1 M位 x 16, 2 M位 x 8) FlashFile存儲器) |
| 28F016XD | 16-Mbit Synchronous Flash Memory(16M位DRAM接口閃速存儲器) |
| 28F016XS | 16-Mbit Synchronous Flash Memory(16M位同步閃速存儲器) |
| 28F020 | 5 V Bulk Erase Flash Memory(5V 整體擦寫閃速存儲器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 28F016SC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:28F016SC - BYTE-WIDE SmartVoltage FlashFile MEMORY FAMILY 4. 8. AND 16 MBIT |
| 28F016SV | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:16-MBIT (1 MBIT x 16, 2 MBIT x 8) FlashFile MEMORY |
| 28F016XD | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:16-MBIT (1 MBIT x 16) DRAM-INTERFACE FLASH MEMORY |
| 28F016XS | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:16-MBIT (1 MBIT x 16, 2 MBIT x 8) SYNCHRONOUS FLASH MEMORY |
| 28F0181-1SR-10 | 功能描述:電磁干擾濾波珠子、扼流圈和陣列 115ohms 100MHz 10A Broad Band Frequency RoHS:否 制造商:AVX 阻抗: 最大直流電流:35 mA 最大直流電阻: 容差: 端接類型:SMD/SMT 電壓額定值:25 V 工作溫度范圍:- 25 C to + 85 C 封裝 / 箱體:0603 (1608 metric) |
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