參數(shù)資料
型號： BLF4G22LS-130
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF power LDMOS transistor - Efficiency: 26 %; Frequency band: 2000 - 2200 GHz; Mode: W-CDMA / UMTS ; Output power: 33 W; Package material: SOT502B ; Power gain: 13.5 dB
中文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： CERAMIC PACKAGE-2
文件頁數(shù)： 8/13頁
文件大?。?/td> 83K
代理商： BLF4G22LS-130
BLF4G22-130_4G22LS-130_1
NXP B.V. 2007. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 3 July 2007
4 of 13
NXP Semiconductors
BLF4G22-130; BLF4G22LS-130
UHF power LDMOS transistor
VDS = 28 V; IDq = 900 mA; Tcase = 25 °C;
f = 1990 MHz.
VDS = 28 V; IDq = 900 mA; Tcase = 25 °C;
f = 1990 MHz.
Fig 1.
2-Carrier W-CDMA power gain and drain
efciency as functions of average load power;
typical values
Fig 2.
2-Carrier W-CDMA IMD3 and ACPR as functions
of average load power; typical values
001aag620
PL(AV) (W)
050
40
20
30
10
20
10
30
40
Gp
(dB)
0
20
10
30
40
ηD
(%)
0
ηD
Gp
001aag621
PL(AV) (W)
050
40
20
30
10
35
45
25
15
IMD3
ACPR
(dBc)
55
IMD3
ACPR
Table 8.
Typical impedance
VDS = 28 V; IDq = 1150 mA; PL(AV) = 33 W; Tcase = 25 °C.
f
ZS
ZL
MHz
2110
1.9
j2.8
1.7
j1.8
2140
1.8
j2.7
1.6
j1.6
2170
1.7
j2.6
1.5
j1.4
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