- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄295146 > BLF6G10LS-200 (NXP SEMICONDUCTORS) Power LDMOS transistor - Description: Basestation RF POWER Transistor ; Efficiency: 27 %; Frequency band: 800-1000 GHz; Mode: W-CDMA / UMTS ; Output power: 40 W; Package material: SOT502B ; Power gain: 20 dB PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | BLF6G10LS-200 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Power LDMOS transistor - Description: Basestation RF POWER Transistor ; Efficiency: 27 %; Frequency band: 800-1000 GHz; Mode: W-CDMA / UMTS ; Output power: 40 W; Package material: SOT502B ; Power gain: 20 dB |
| 中文描述： | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2 |
| 文件頁數(shù)： | 6/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 99K |
| 代理商： | BLF6G10LS-200 |
BLF6G10LS-200_1
NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Preliminary data sheet
Rev. 01 — 18 January 2008
4 of 11
NXP Semiconductors
BLF6G10LS-200
Power LDMOS transistor
7.2 One-tone CW
7.3 Two-tone CW
VDS = 28 V; IDq = 1400 mA; f = 894 MHz.
Fig 1.
One-tone CW power gain and drain efciency as functions of load power;
typical values
001aah526
PL (W)
0
240
160
80
40
120
200
19
17
21
22
Gp
(dB)
15
20
18
16
40
20
60
70
ηD
(%)
0
50
30
10
Gp
ηD
VDS = 28 V; IDq = 1400 mA; f1 = 893.95 MHz; f2 = 894.05 MHz.
Fig 2.
Two-tone CW power gain and drain efciency as functions of peak envelope load
power; typical values
PL(PEP) (W)
0
350
300
100
200
50
150
250
001aah534
18
20
22
Gp
(dB)
16
20
40
60
ηD
(%)
0
Gp
ηD
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BLF872 | UHF power LDMOS transistor - Description: UHF LDMOS POWER Transistor ; Efficiency: 55 %; Frequency band: 470-860 GHz; Output power: 300 W; Package material: SOT800A ; Power gain: 16.5 dB |
| BLH2-21-35PC-1 | MIL SERIES CONNECTOR, RECEPTACLE |
| BLH2-21-39PN-1 | MIL SERIES CONNECTOR, RECEPTACLE |
| BLH2-23-21PK-1 | MIL SERIES CONNECTOR, RECEPTACLE |
| BLH2-23-97PA-1 | MIL SERIES CONNECTOR, RECEPTACLE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BLF6G10LS-200 /T3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| BLF6G10LS-200,112 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| BLF6G10LS-200,118 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| BLF6G10LS-200R | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| BLF6G10LS-200R /T3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。