參數(shù)資料
型號： CAT28F512
英文描述： 512K-Bit CMOS Flash Memory(512K(64K x 8位）位CMOS閃速存儲器)
中文描述： 為512k位CMOS閃存（為512k（64K的× 8位）位的CMOS閃速存儲器）
文件頁數(shù)： 10/14頁
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代理商： CAT28F512
CAT28F512
10
Preliminary
Doc. No. 25042-00 2/98 F-1
Figure 5. Chip Erase Algorithm
(1)
5108 FHD F10
Note:
(1) The algorithm MUST BE FOLLOWED to ensure proper and reliable operation of the device.
START ERASURE
APPLY VPPH
INITIALIZE
ADDRESS
INITIALIZE
PLSCNT = 0
WRITE ERASE
SETUP COMMAND
WRITE ERASE
COMMAND
TIME OUT 10ms
WRITE ERASE
VERIFY COMMAND
TIME OUT 6
μ
s
READ DATA
FROM DEVICE
DATA =
FFH
LAST
ADDRESS
WRITE READ
COMMAND
APPLY VPPL
ERASURE
COMPLETED
APPLY VPPL
ERASE
ERROR
INCREMENT
ADDRESS
INC PLSCNT
= 3000
NO
NO
NO
YES
YES
YES
PROGRAM ALL
BYTES TO 00H
STANDBY
VPP RAMPS TO VPPH
(OR VPP HARDWIRED)
OPBUS
COMMENTS
READ
STANDBY
WRITE
STANDBY
ERASE
ERASE
VERIFY
READ
INITIALIZE ADDRESS
ALL BYTES SHALL BE
PROGRAMMED TO 00
BEFORE AN ERASE
OPERATION
PLSCNT = PULSE COUNT
ACTUAL ERASE
NEEDS 10ms PULSE,
DATA = 20H
WAIT
ADDRESS = BYTE TO VERIFY
DATA = 20H;
STOPS ERASE OPERATION
READ BYTE TO
VERIFY ERASURE
DATA = 00H
RESETS THE REGISTER
FOR READ OPERATION
VPP RAMPS TO VPPL
(OR VPP HARDWIRED)
WRITE
WRITE
WRITE
ERASE
WAIT
COMPARE OUTPUT TO FF
INCREMENT PULSE COUNT
DATA = 20H
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PDF描述
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參數(shù)描述
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