參數(shù)資料
型號(hào)： CAT28F512
英文描述： 512K-Bit CMOS Flash Memory(512K(64K x 8位）位CMOS閃速存儲(chǔ)器)
中文描述： 為512k位CMOS閃存（為512k（64K的× 8位）位的CMOS閃速存儲(chǔ)器）
文件頁(yè)數(shù)： 7/14頁(yè)
文件大?。?/td> 97K
代理商： CAT28F512
CAT28F512
7
Preliminary
Doc. No. 25042-00 2/98 F-1
FUNCTION TABLE
(1)
Pins
WE
Mode
CE
OE
V
PP
V
PPL
I/O
Notes
Read
V
IL
V
IL
V
IH
D
OUT
Output Disable
V
IL
V
IH
V
IH
X
High-Z
Standby
V
IH
X
X
V
PPL
High-Z
Signature (MFG)
V
IL
V
IL
V
IH
X
31H
A
0
= V
IL
, A
9
= 12V
Signature (Device)
V
IL
V
IL
V
IH
X
B8H
A
0
= V
IH
, A
9
= 12V
Program/Erase
V
IL
V
IH
V
IL
V
PPH
D
IN
See Command Table
Write Cycle
V
IL
V
IH
V
IL
V
PPH
D
IN
Read Cycle
V
IL
V
IL
V
IH
V
PPH
D
OUT
During Write Cycle
WRITE COMMAND TABLE
Commands are written into the command register in one or two write cycles. The command register can be altered
only when V
PP
is high and the instruction byte is latched on the rising edge of WE. Write cycles also internally latch
addresses and data required for programming and erase operations.
Pins
First Bus Cycle
Address
Second Bus Cycle
Address
Mode
Operation
D
IN
00H
Operation
D
IN
D
OUT
D
OUT
Set Read
Write
X
Read
A
IN
Read Sig. (MFG)
Write
X
90H
Read
00
31H
Read Sig. (Device)
Write
X
90H
Read
01
B8H
Erase
Write
X
20H
Write
X
20H
Erase Verify
Write
A
IN
A0H
Read
X
D
OUT
Program
Write
X
40H
Write
A
IN
D
IN
Program Verify
Write
X
C0H
Read
X
D
OUT
Reset
Write
X
FFH
Write
X
FFH
Note:
(1)
Logic Levels: X = Logic ‘Do not care’ (V
IH
, V
IL
, V
PPL
, V
PPH
)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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CAT28LV256PE-25T 256K-Bit CMOS PARALLEL E2PROM
CAT28LV256PE-30T 256K-Bit CMOS PARALLEL E2PROM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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CAT28F512G-12 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Flash Memory IC
CAT28F512G-12T 功能描述:閃存 512K-Bit CMOS 閃存 Memory RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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CAT28F512G-90 制造商:ON Semiconductor 功能描述:IC FLASH 512KBIT 90NS LCC-32
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