參數(shù)資料
型號： CY7C1472BV25-250BZXI
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： SRAM
英文描述： 4M X 18 ZBT SRAM, 3 ns, PBGA165
封裝： 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-165
文件頁數(shù)： 15/29頁
文件大?。?/td> 884K
代理商： CY7C1472BV25-250BZXI
CY7C1470BV25
CY7C1472BV25, CY7C1474BV25
Document #: 001-15032 Rev. *D
Page 22 of 29
Switching Waveforms
Figure 6 shows read-write timing waveform.[19, 20, 21]
Figure 6. Read/Write Timing
WRITE
D(A1)
123
456789
CLK
t CYC
tCL
tCH
10
CE
tCEH
tCES
WE
CEN
tCENH
tCENS
BW x
ADV/LD
tAH
tAS
ADDRESS
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
tDH
tDS
Data
In-Out (DQ)
tCLZ
D(A1)
D(A2)
D(A5)
Q(A4)
Q(A3)
D(A2+1)
tDOH
tCHZ
tCO
WRITE
D(A2)
BURST
WRITE
D(A2+1)
READ
Q(A3)
READ
Q(A4)
BURST
READ
Q(A4+1)
WRITE
D(A5)
READ
Q(A6)
WRITE
D(A7)
DESELECT
OE
tOEV
tOELZ
tOEHZ
tDOH
DON’T CARE
UNDEFINED
Q(A6)
Q(A4+1)
Notes
19. For this waveform ZZ is tied LOW.
20. When CE is LOW, CE1 is LOW, CE2 is HIGH, and CE3 is LOW. When CE is HIGH,CE1 is HIGH, CE2 is LOW, or CE3 is HIGH.
21. Order of the Burst sequence is determined by the status of the MODE (0 = Linear, 1 = Interleaved).Burst operations are optional.
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CY7C1472BV33-167BZCT 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 4Mx18,3.3V NoBL PL 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1472BV33-167ZXI 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1472BV33-200AXC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 4Mx18,3.3V NoBL PL 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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