參數(shù)資料
型號(hào): CY7C1472BV25-250BZXI
廠商: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: SRAM
英文描述: 4M X 18 ZBT SRAM, 3 ns, PBGA165
封裝: 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-165
文件頁數(shù): 8/29頁
文件大?。?/td> 884K
代理商: CY7C1472BV25-250BZXI
CY7C1470BV25
CY7C1472BV25, CY7C1474BV25
Document #: 001-15032 Rev. *D
Page 16 of 29
2.5V TAP AC Test Conditions
Input pulse levels................................................. VSS to 2.5V
Input rise and fall time .....................................................1 ns
Input timing reference levels......................................... 1.25V
Output reference levels ................................................ 1.25V
Test load termination supply voltage ............................ 1.25V
Note
11. All voltages refer to VSS (GND).
Figure 5. 2.5V TAP AC Output Load Equivalent
TDO
1.25V
20pF
Z = 50
Ω
O
50
Ω
TAP DC Electrical Characteristics And Operating Conditions
(0°C < TA < +70°C; VDD = 2.5V ±0.125V unless otherwise noted)
Parameter
Description
Test Conditions
Min
Max
Unit
VOH1
Output HIGH Voltage
IOH = –1.0 mA, VDDQ = 2.5V
1.7
V
VOH2
Output HIGH Voltage
IOH = –100 μA, VDDQ = 2.5V
2.1
V
VOL1
Output LOW Voltage
IOL = 1.0 mA, VDDQ = 2.5V
0.4
V
VOL2
Output LOW Voltage
IOL = 100 μA, VDDQ = 2.5V
0.2
V
VIH
Input HIGH Voltage
VDDQ = 2.5V
1.7
VDD + 0.3
V
VIL
Input LOW Voltage
VDDQ = 2.5V
–0.3
0.7
V
IX
Input Load Current
GND
≤ V
I ≤ VDDQ
–5
5
μA
Table 6. Identification Register Definitions
Instruction Field
CY7C1470BV25
(2M x 36)
CY7C1472BV25
(4M x 18)
CY7C1474BV25
(1M x 72)
Description
Revision Number (31:29)
000
Describes the version number
Device Depth (28:24)
01011
Reserved for internal use
Architecture/Memory Type(23:18)
001000
Defines memory type and archi-
tecture
Bus Width/Density(17:12)
100100
010100
110100
Defines width and density
Cypress JEDEC ID Code (11:1)
00000110100
Allows unique identification of
SRAM vendor
ID Register Presence Indicator (0)
1
Indicates the presence of an ID
register
Table 7. Scan Register Sizes
Register Name
Bit Size (x36)
Bit Size (x18)
Bit Size (x72)
Instruction
3
Bypass
1
ID
32
Boundary Scan Order–165FBGA
71
52
Boundary Scan Order–209BGA
110
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C164-15PC 16K x 4 Static RAM
CY7C164-25PC 16K x 4 Static RAM
CY7C164-15VC 16K x 4 Static RAM
CY7C164-20PC 16K x 4 Static RAM
CY7C164-20VC 16K x 4 Static RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1472BV33-167AXI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 72MB (4Mx18) 3.3v 167MHz 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1472BV33-167BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4Mx18,3.3V NoBL PL 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1472BV33-167BZCT 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4Mx18,3.3V NoBL PL 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1472BV33-167ZXI 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1472BV33-200AXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4Mx18,3.3V NoBL PL 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray