參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1472BV25-250BZXI
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： SRAM
英文描述： 4M X 18 ZBT SRAM, 3 ns, PBGA165
封裝： 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-165
文件頁數(shù)： 3/29頁
文件大小： 884K
代理商： CY7C1472BV25-250BZXI
CY7C1470BV25
CY7C1472BV25, CY7C1474BV25
Document #: 001-15032 Rev. *D
Page 11 of 29
Table 5. Partial Write Cycle Description
The partial write cycle description for CY7C1470BV25, CY7C1472BV25, and CY7C1474BV25 follows.[1, 2, 3, 8]
Function (CY7C1470BV25)
WE
BWd
BWc
BWb
BWa
Read
H
X
Write – No bytes written
L
H
Write Byte a – (DQa and DQPa)
L
HHH
L
Write Byte b – (DQb and DQPb)L
H
L
H
Write Bytes b, a
L
H
L
Write Byte c – (DQc and DQPc)L
H
L
H
Write Bytes c, a
L
H
L
H
L
Write Bytes c, b
L
H
LL
L
H
Write Bytes c, b, a
L
H
L
Write Byte d – (DQd and DQPd)L
L
H
Write Bytes d, a
L
H
L
Write Bytes d, b
L
H
L
H
Write Bytes d, b, a
L
H
L
Write Bytes d, c
L
H
Write Bytes d, c, a
L
H
L
Write Bytes d, c, b
L
H
Write All Bytes
L
Function (CY7C1472BV25)
WE
BWb
BWa
Read
H
x
Write – No Bytes Written
L
H
Write Byte a – (DQa and DQPa)L
H
L
Write Byte b – (DQb and DQPb)L
L
H
Write Both Bytes
L
Function (CY7C1474BV25)
WE
BWx
Read
Hx
Write – No Bytes Written
L
H
Write Byte X
(DQ
x and DQPx)
LL
Write All Bytes
L
All BW = L
Note
8. Table lists only a partial listing of the Byte Write combinations. Any combination of BW[a:d] is valid. Appropriate write is based on which Byte Write is active.
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CY7C1472BV33-167BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4Mx18,3.3V NoBL PL 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1472BV33-167BZCT 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4Mx18,3.3V NoBL PL 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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