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參數(shù)資料
型號: DSP56301PW100
廠商: Freescale Semiconductor
文件頁數(shù): 60/124頁
文件大?。?/td> 0K
描述: IC DSP 24BIT FIXED-POINT 208LQFP
標準包裝: 36
系列: DSP563xx
類型: 定點
接口: 主機接口,SSI,SCI
時鐘速率: 100MHz
非易失內(nèi)存: ROM(9 kB)
芯片上RAM: 24kB
電壓 - 輸入/輸出: 3.30V
電壓 - 核心: 3.30V
工作溫度: -40°C ~ 100°C
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 208-LQFP
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 208-LQFP
包裝: 托盤
DSP56301 Technical Data, Rev. 10
2-14
Freescale Semiconductor
Specifications
115
Address valid to RD
assertion
0.5
× TC 4.0
2.3
1.0
ns
116
RD assertion pulse width
(WS + 0.25)
× TC 4.0
11.6
8.5
ns
117
RD deassertion to address
not valid
0.25
× TC 2.0 [1 ≤ WS ≤ 3]
1.25
× TC 2.0 [4 ≤ WS ≤ 7]
2.25
× TC 2.0 [WS ≥ 8]
1.1
13.6
26.1
0.5
10.5
20.5
ns
118
TA setup before RD or WR
deassertion4
0.25
× TC + 2.0
5.1
4.5
ns
119
TA hold after RD or WR
deassertion
0—
0
ns
Notes:
1.
WS is the number of wait states specified in the BCR.
2.
Timings 100, 107 are guaranteed by design, not tested.
3.
All timings for 100 MHz are measured from 0.5 Vcc to 0.5 Vcc
4.
Timing 118 is relative to the deassertion edge of RD or WR even if TA remains active.
5.
Timings 110, 111, and 112, are not helpful and are not specified for 100 MHz.
6.
VCC = 3.3 V ± 0.3 V; TJ = –40°C to +100°C, CL = 50 pF
Figure 2-12.
SRAM Read Access
Table 2-8.
SRAM Read and Write Accesses3,6 (Continued)
No.
Characteristics
Symbol
Expression1
80 MHz
100 MHz
Unit
Min
Max
Min
Max
A[0–23]
RD
WR
D[0–23]
AA[0–3]
105
106
113
104
116
117
100
TA
118
Data
In
119
Note: Address lines A[0–23] hold their state after a
read or write operation. AA[0–3] do not hold their
state after a read or write operation.
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