t
參數(shù)資料
型號： DSP56301PW100
廠商： Freescale Semiconductor
文件頁數(shù)： 68/124頁
文件大小： 0K
描述： IC DSP 24BIT FIXED-POINT 208LQFP
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 36
系列： DSP563xx
類型： 定點(diǎn)
接口： 主機(jī)接口，SSI，SCI
時(shí)鐘速率： 100MHz
非易失內(nèi)存： ROM（9 kB）
芯片上RAM： 24kB
電壓 - 輸入/輸出： 3.30V
電壓 - 核心： 3.30V
工作溫度： -40°C ~ 100°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 208-LQFP
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 208-LQFP
包裝： 托盤
DSP56301 Technical Data, Rev. 10
2-22
Freescale Semiconductor
Specifications
172
RAS assertion to row address not valid
tRAH
1.75
× TC 4.0
17.9
—
ns
173
Column address valid to CAS assertion
tASC
0.75
× TC 4.0
5.4
—
ns
174
CAS assertion to column address not valid
tCAH
3.25
× TC 4.0
36.6
—
ns
175
RAS assertion to column address not valid
tAR
5.75
× TC 4.0
67.9
—
ns
176
Column address valid to RAS deassertion
tRAL
4
× TC 4.0
46.0
—
ns
177
WR deassertion to CAS assertion
tRCS
2
× TC 3.8
21.2
—
ns
178
CAS deassertion to WR4 assertion
tRCH
1.25
× TC 3.7
11.9
—
ns
179
RAS deassertion to WR4 assertion
tRRH
0.25
× TC 2.6
0.5
—
ns
180
CAS assertion to WR deassertion
tWCH
3
× TC 4.2
33.3
—
ns
181
RAS assertion to WR deassertion
tWCR
5.5
× TC 4.2
64.6
—
ns
182
WR assertion pulse width
tWP
8.5
× TC 4.5
101.8
—
ns
183
WR assertion to RAS deassertion
tRWL
8.75
× TC 4.3
105.1
—
ns
184
WR assertion to CAS deassertion
tCWL
7.75
× TC 4.3
92.6
—
ns
185
Data valid to CAS assertion (write)
tDS
4.75
× TC 4.0
55.4
—
ns
186
CAS assertion to data not valid (write)
tDH
3.25
× TC 4.0
36.6
—
ns
187
RAS assertion to data not valid (write)
tDHR
5.75
× TC 4.0
67.9
—
ns
188
WR assertion to CAS assertion
tWCS
5.5
× TC 4.3
64.5
—
ns
189
CAS assertion to RAS assertion (refresh)
tCSR
1.5
× TC 4.0
14.8
—
ns
190
RAS deassertion to CAS assertion (refresh)
tRPC
1.75
× TC 4.0
17.9
—
ns
191
RD assertion to RAS deassertion
tROH
8.5
× TC 4.0
102.3
—
ns
192
RD assertion to data valid
tGA
7.5
× TC 6.5
—
87.3
ns
193
RD deassertion to data not valid3
tGZ
0.0
—
ns
194
WR assertion to data active
0.75
× TC 1.5
7.9
—
ns
195
WR deassertion to data high impedance
0.25
× TC
—3.1
ns
Notes:
1.
The number of wait states for an out-of-page access is specified in the DCR.
2.
The refresh period is specified in the DCR.
3.
RD deassertion always occurs after CAS deassertion; therefore, the restricted timing is tOFF and not tGZ.
4.
Either tRCH or tRRH must be satisfied for read cycles.
Table 2-12.
DRAM Out-of-Page and Refresh Timings, Eight Wait States1, 2 (Continued)
No.
Characteristics3
Symbol
Expression
80 MHz
Unit
Min
Max
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PDF描述
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參數(shù)描述
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