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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GE28F640W30B70 |
| 英文描述： | EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC |
| 中文描述： | 的EEPROM | FLASH動(dòng)畫(huà)| 4MX16 |的CMOS | BGA封裝| 56PIN |塑料 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 74/91頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 994K |
| 代理商： | GE28F640W30B70 |
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1.8 Volt Intel
Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O
74
Datasheet
11.4
Reset Specifications
Table 24. Reset Specifications
#
Symbol
Parameter
1
Notes
Min
Max
Unit
P1
t
PLPH
RST# Low to Reset during Read
1, 2, 3, 4
100
ns
P2
t
PLRH
RST# Low to Reset during Block Erase
1, 3, 4, 5
20
μs
RST# Low to Reset during Program
1, 3, 4, 5
10
μs
P3
t
VCCPH
VCC Power Valid to Reset
1,3,4,5,6
60
μs
NOTES:
1. These specifications are valid for all product versions (packages and speeds).
2. The device may reset if t
< t
Min, but this is not guaranteed.
3. Not applicable if RST# is tied to VCC.
4. Sampled, but not 100% tested.
5. If RST# is tied to VCC, the device is not ready until t
occurs after when V
≥
V
Min.
6. If RST# is tied to any supply/signal with V
CCQ
voltage levels, the RST# input voltage must not exceed V
CC
until V
CC
≥
V
CC
Min.
Figure 32. Reset Operations Waveforms
(
A) Reset during
read mode
(B) Reset during
program or block erase
P1
≤
P2
(C) Reset during
program or block erase
P1
≥
P2
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
RST# [P]
RST# [P]
RST# [P]
Abort
Complete
Abort
Complete
V
CC
0V
VCC
(D) VCC Power-up to
RST# high
P1
R5
P2
P3
P2
R5
R5
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GE28F640W30B85 | EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC |
| GE28F640W30T70 | EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC |
| GE28F640W30T85 | EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC |
| GF4435 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 8A I(D) | SO |
| GF4450 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 7.5A I(D) | SO |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| GE28F640W30T70 | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC |
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| GE28F800B3TA90 | 制造商:INTEL 制造商全稱(chēng):Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
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