參數(shù)資料
型號(hào)： GE28F640W30B70
英文描述： EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC
中文描述： 的EEPROM | FLASH動(dòng)畫(huà)| 4MX16 |的CMOS | BGA封裝| 56PIN |塑料
文件頁(yè)數(shù)： 76/91頁(yè)
文件大小： 994K
代理商： GE28F640W30B70
1.8 Volt Intel
Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O
76
Datasheet
11.6
Device Capacitance
T
A
= +25 °C, f = 1 MHz
Symbol
Parameter
§
Typ
Max
Unit
Condition
C
IN
Input Capacitance
6
8
pF
V
IN
= 0.0 V
C
OUT
Output Capacitance
8
12
pF
V
OUT
= 0.0 V
C
CE
CE# Input Capacitance
10
12
pF
V
IN
= 0.0 V
§
Sampled, not 100% tested.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GE28F640W30B85 EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC
GE28F640W30T70 EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC
GE28F640W30T85 EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC
GF4435 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 8A I(D) | SO
GF4450 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 7.5A I(D) | SO
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
GE28F640W30B85 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC
GE28F640W30T70 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC
GE28F640W30T85 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC
GE28F800B3BA90 制造商:Intel 功能描述:NOR Flash, 512K x 16, 45 Pin, Plastic, BGA
GE28F800B3TA90 制造商:INTEL 制造商全稱(chēng):Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory
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