參數(shù)資料
型號(hào)： GE28F640W30B70
英文描述： EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC
中文描述： 的EEPROM | FLASH動(dòng)畫| 4MX16 |的CMOS | BGA封裝| 56PIN |塑料
文件頁數(shù)： 75/91頁
文件大?。?/td> 994K
代理商： GE28F640W30B70
1.8 Volt Intel
Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O
Datasheet
75
11.5
AC I/O Test Conditions
NOTE:
Input timing begins, and output timing ends, at V
CCQ
/2. Input rise and fall times (10% to 90%) < 5 ns.
Worst case speed conditions are when V
CC
= V
CC
NOTE:
See Table 17 for component values.
Figure 33. AC Input/Output Reference Waveform
V
CCQ
0V
V
CCQ
/2
V
CCQ
/2
Test Points
Input
Output
Figure 34. Transient Equivalent Testing Load Circuit
Device
Under Test
V
CCQ
C
L
R
2
R
1
Out
Table 25. Test Configuration Component Values for Worst Case Speed Conditions
Test Configuration
C
L
(pF)
R
1
(k
)
R
2
(k
)
V
CCQ
Min Standard Test
30
25
25
NOTE:
C
L
includes jig capacitance.
Figure 35. Clock Input AC Waveform
CLK [C]
V
IH
V
IL
R203
R202
R201
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GE28F640W30B85 EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC
GE28F640W30T70 EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC
GE28F640W30T85 EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC
GF4435 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 8A I(D) | SO
GF4450 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 7.5A I(D) | SO
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
GE28F640W30B85 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC
GE28F640W30T70 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC
GE28F640W30T85 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC
GE28F800B3BA90 制造商:Intel 功能描述:NOR Flash, 512K x 16, 45 Pin, Plastic, BGA
GE28F800B3TA90 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*