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參數(shù)資料
| 型號： | HY5PS12823F |
| 英文描述： | 64Mx8|1.8V|8K|D43/D44/D54/D55|DDR II SDRAM - 512M |
| 中文描述： | 64Mx8 | 1.8 | 8K的| D43/D44/D54/D55 |的DDR II內(nèi)存- 512M |
| 文件頁數(shù)： | 43/66頁 |
| 文件大?。?/td> | 862K |
| 代理商： | HY5PS12823F |
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Rev. 0.52/Nov. 02 43
HY5PS12423(L)F
HY5PS12823(L)F
HY5PS121623(L)F
Read to Write Opeation
Minimum read-to-write-turn around-time is 4 clocks for BL4, 6 clock for BL8
/CK
CK
Active
Q0 Q1 Q2 Q3
Read
Read latency = 4clks
CMD
DQS
DQ
Write
Write latency= 3clks
D0 D1 D2 D3
Min. Read to Write Turn Around = 4 Clks
Posted CAS AL=1
Posted CAS AL=1
Q0 Q1 Q2 Q3
Read
Read latency = 4clks
CMD
DQS
DQ
Write
Bank A
Write latency= 3clks
D0 D1 D2 D3
Min. Read to Write Turn Around = 6 clks
Posted CAS AL=1
Posted CAS AL=1
Q4 Q5 Q6 Q7
D4 D5 D6 D7
tRCD=3CLKs, CL=3CLKs, AL=1CLK, BL=4
tRCD=3CLKs, CL=3CLKs, AL=1CLK, BL=8
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY5PS12823LF | 64Mx8|1.8V|8K|D43/D44/D54/D55|DDR II SDRAM - 512M |
| HY5P | Current Transducers HY 5 to 25-P/SP1 |
| HY5R256HC | -|2.5V|8K|40|Direct RDRAM - 256M |
| HY5R288HC | -|2.5V|8K|40|Direct RDRAM - 288M |
| HY5V16CF | 1Mx16|3.3V|4K|H|SDR SDRAM - 16M |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY5PS12823LF | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:64Mx8|1.8V|8K|D43/D44/D54/D55|DDR II SDRAM - 512M |
| HY5PS1G1631AFP | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gb DDR2 SDRAM |
| HY5PS1G1631AFP-Y5 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gb DDR2 SDRAM |
| HY5PS1G1631ALFP | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gb DDR2 SDRAM |
| HY5PS1G1631ALFP-Y5 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gb DDR2 SDRAM |
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