- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370740 > HY5PS12823F 64Mx8|1.8V|8K|D43/D44/D54/D55|DDR II SDRAM - 512M PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | HY5PS12823F |
| 英文描述： | 64Mx8|1.8V|8K|D43/D44/D54/D55|DDR II SDRAM - 512M |
| 中文描述： | 64Mx8 | 1.8 | 8K的| D43/D44/D54/D55 |的DDR II內(nèi)存- 512M |
| 文件頁數(shù)： | 63/66頁 |
| 文件大?。?/td> | 862K |
| 代理商： | HY5PS12823F |
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Rev. 0.52/Nov. 02 63
HY5PS12423(L)F
HY5PS12823(L)F
HY5PS121623(L)F
14. DQS, DM and DQ input slew rate is specified to prevent double clocking of data and preserve setup and hold times. Signal tran-
sitions through the DC region must be monotonic.
15. tDAL = (tDPL / tCK ) + (tRP / tCK ). For each of the terms above, if not already an integer, round to the next highest integer. tCK
is equal to the actual system clock cycle time.
Example: For DDR266B at CL=2.5 and tCK = 7.5 ns,
tDAL = (15 ns / 7.5 ns) + (20 ns / 7.5 ns) = (2.00) + (2.67)
Round up each non-integer to the next highest integer: = (2) + (3), tDAL = 5 clocks
16. For the parts which do not has internal RAS lockout circuit, Active to Read with Auto precharge delay should be tRAS - BL/2 x
tCK.
The previous and This Page will be changed by the standardization result of Je-
dec Committee.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY5PS12823LF | 64Mx8|1.8V|8K|D43/D44/D54/D55|DDR II SDRAM - 512M |
| HY5P | Current Transducers HY 5 to 25-P/SP1 |
| HY5R256HC | -|2.5V|8K|40|Direct RDRAM - 256M |
| HY5R288HC | -|2.5V|8K|40|Direct RDRAM - 288M |
| HY5V16CF | 1Mx16|3.3V|4K|H|SDR SDRAM - 16M |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY5PS12823LF | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:64Mx8|1.8V|8K|D43/D44/D54/D55|DDR II SDRAM - 512M |
| HY5PS1G1631AFP | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gb DDR2 SDRAM |
| HY5PS1G1631AFP-Y5 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gb DDR2 SDRAM |
| HY5PS1G1631ALFP | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gb DDR2 SDRAM |
| HY5PS1G1631ALFP-Y5 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gb DDR2 SDRAM |
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