- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370740 > HY5PS12823LF 64Mx8|1.8V|8K|D43/D44/D54/D55|DDR II SDRAM - 512M PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | HY5PS12823LF |
| 英文描述： | 64Mx8|1.8V|8K|D43/D44/D54/D55|DDR II SDRAM - 512M |
| 中文描述： | 64Mx8 | 1.8 | 8K的| D43/D44/D54/D55 |的DDR II內(nèi)存- 512M |
| 文件頁數(shù)： | 38/66頁 |
| 文件大?。?/td> | 862K |
| 代理商： | HY5PS12823LF |
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Rev. 0.52/Nov. 02 38
HY5PS12423(L)F
HY5PS12823(L)F
HY5PS121623(L)F
ODT Control of Writes
At a minimum, ODT must be latched High by CK at (Read Latency - 3tCK) after the WR Command and remain High
until (Write Latency + BL/2 - 2tCK) after the WR command (where Write Latency = Read Latency - 1tCK). During
writes, no ODT is required at the controller.
CK
CK
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
ODT
Controller
Term Res.
CMD
(to slot1)
WR
WR
at DRAM in slot1
CMD
Data In
Read Latency-1
DQs
DQS
DQS
ODT
Controller
Term Res.
Rtt(DRAM)
tAOND
tAOFD
at DRAM in slot2
Write Example for a 2 slot registered system with 2nd slot in Active Mode
(Read Latency = 3tCK; tAOND = 2tCK; tAOFD = 2.5tCK)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY5P | Current Transducers HY 5 to 25-P/SP1 |
| HY5R256HC | -|2.5V|8K|40|Direct RDRAM - 256M |
| HY5R288HC | -|2.5V|8K|40|Direct RDRAM - 288M |
| HY5V16CF | 1Mx16|3.3V|4K|H|SDR SDRAM - 16M |
| HY5V16CF-H | x16 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY5PS1G1631AFP | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gb DDR2 SDRAM |
| HY5PS1G1631AFP-Y5 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gb DDR2 SDRAM |
| HY5PS1G1631ALFP | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gb DDR2 SDRAM |
| HY5PS1G1631ALFP-Y5 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gb DDR2 SDRAM |
| HY5PS1G1631CFP | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gb DDR2 SDRAM |
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