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參數(shù)資料
| 型號： | HYB18L256160B |
| 廠商： | QIMONDA |
| 英文描述： | DRAMs for Mobile Applications 256-Mbit Mobile-RAM |
| 中文描述： | DRAM的針對移動(dòng)應(yīng)用256兆移動(dòng)RAM |
| 文件頁數(shù)： | 20/58頁 |
| 文件大?。?/td> | 1766K |
| 代理商： | HYB18L256160B |
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Data Sheet
Rev. 1.73, 2006-09
01302004-CZ2R-J9SE
20
HY[B/E]18L256160B[C/F]L-7.5
256-Mbit Mobile-RAM
TABLE 12
Timing Parameters for READ
During READ bursts, the valid data-out element from the starting column address is available following the CAS latency after
the READ command. Each subsequent data-out element is valid nominally at the next positive clock edge. Upon completion
of a READ burst, assuming no other READ command has been initiated, the DQs go to High-Z state.
Figure 13
and
Figure 14
show single READ bursts for each supported CAS latency setting.
FIGURE 13
Single READ Burst (CAS Latency = 2)
Parameter
Symbol
- 7.5
Units
Note
min.
max.
Access time from CLK
CL = 3
CL = 2
t
AC
t
AC
t
LZ
t
HZ
t
OH
t
DQZ
t
RC
t
RCD
t
RAS
t
RP
—
—
1.0
3.0
2.5
—
67
19
45
19
5.4
6.0
—
7.0
—
2
—
—
100k
—
ns
ns
ns
ns
ns
t
CK
ns
ns
ns
ns
—
DQ low-impedance time from CLK
DQ high-impedance time from CLK
Data out hold time
DQM to DQ High-Z delay (READ Commands)
ACTIVE to ACTIVE command period
ACTIVE to READ or WRITE delay
ACTIVE to PRECHARGE command period
PRECHARGE command period
—
—
—
1)
1) These parameters account for the number of clock cycles and depend on the operating frequency as follows:
no. of clock cycles = specified delay / clock period; round up to next integer.
1)
1)
1)
%D $ &RO Q EDQN $ FROXPQ Q
'2 Q 'DWD 2XW IURP FROXPQ Q
%XUVW /H QJWK
VXEVHTXHQW HOHPHQWV RI 'DWD 2XW DUH SURYLGHG LQ WKH SURJUDPPHG RUGHU IROORZLQJ '2 Q
LQ WKH FDVH VKRZQ
'RQW &DUH
&/
W
5&'
W
5$6
W
5&
W
53
&/.
&RPPDQG
123
5($'
123
123
123
35(
123
$& 7
$& 7
$G GUHVV
%D $
%D $
%D $
$
$3
3UH %DQN $
3UH $ O
$3
'LV $3
5RZ [
5RZ E
'2 Q
'2 Q
' 2 Q
' 2 Q
'4
$3 $X WR 3UHFKDUJH
'LV $3 'LVDEOH $X WR 3 HFKDUJH
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYMP112S64LMP8-C4 | DDR2 SDRAM SO-DIMM |
| HYMP112S64LMP8-C5 | DDR2 SDRAM SO-DIMM |
| HYMP112S64LMP8-E3 | BNC FEMALE TO RCA MALE COUPLER |
| HYMP112S64LMP8-E4 | DDR2 SDRAM SO-DIMM |
| HYMP112S64MP8 | SHIELDED, RJ45 TO DB25 ADP, P |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB18L256160BC-7.5 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:BJAWBMSpecialty DRAMs Mobile-RAM |
| HYB18L256160BC-75 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:DRAMs for Mobile Applications |
| HYB18L256160BCL-7.5 | 制造商:QIMONDA 制造商全稱:QIMONDA 功能描述:DRAMs for Mobile Applications 256-Mbit Mobile-RAM |
| HYB18L256160BCX-7.5 | 制造商:QIMONDA 制造商全稱:QIMONDA 功能描述:DRAMs for Mobile Applications 256-Mbit Mobile-RAM |
| HYB18L256160BF | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:DRAMs for Mobile Applications |
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