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參數(shù)資料
| 型號： | HYB18L256160B |
| 廠商： | QIMONDA |
| 英文描述： | DRAMs for Mobile Applications 256-Mbit Mobile-RAM |
| 中文描述： | DRAM的針對移動應(yīng)用256兆移動RAM |
| 文件頁數(shù)： | 48/58頁 |
| 文件大?。?/td> | 1766K |
| 代理商： | HYB18L256160B |
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Data Sheet
Rev. 1.73, 2006-09
01302004-CZ2R-J9SE
48
HY[B/E]18L256160B[C/F]L-7.5
256-Mbit Mobile-RAM
3
Electrical Characteristics
3.1
Operating Conditions
TABLE 23
Absolute Maximum Ratings
Attention: Stresses above those listed here may cause permanent damage to the device. Exposure to absolute
maximum rating conditions for extended periods may affect device reliability.
Maximum ratings are absolute ratings; exceeding only one of these values may cause irreversible damage
to the integrated circuit.
TABLE 24
Pin Capacitances
Parameter
Symbol
Values
Unit
min.
max.
Power Supply Voltage
Power Supply Voltage for Output Buffer
Input Voltage
Output Voltage
Operation Case Temperature
V
DD
V
DDQ
V
IN
V
OUT
T
C
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
0
-25
-55
–
–
2.7
2.7
V
DDQ
+ 0.3
V
DDQ
+ 0.3
+70
+85
+150
0.7
50
V
V
V
V
°C
°C
°C
W
mA
Commercial
Extended
Storage Temperature
Power Dissipation
Short Circuit Output Current
T
STG
P
D
I
OUT
Parameter
Symbol
Values
Unit
Note
1)2)
1) These values are not subject to production test but verified by device characterization.
2) Input capacitance is measured according to JEP147 with
V
DD
,
V
DDQ
applied and all other pins (except the pin under test) floating. DQ’s
should be in high impedance state.
min.
max.
Input capacitance: CLK
Input capacitance: all other input
Input/Output capacitance: DQ
C
I1
C
I2
C
IO
1.5
1.5
3.0
3.0
3.0
5.0
pF
pF
pF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYMP112S64LMP8-C4 | DDR2 SDRAM SO-DIMM |
| HYMP112S64LMP8-C5 | DDR2 SDRAM SO-DIMM |
| HYMP112S64LMP8-E3 | BNC FEMALE TO RCA MALE COUPLER |
| HYMP112S64LMP8-E4 | DDR2 SDRAM SO-DIMM |
| HYMP112S64MP8 | SHIELDED, RJ45 TO DB25 ADP, P |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB18L256160BC-7.5 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:BJAWBMSpecialty DRAMs Mobile-RAM |
| HYB18L256160BC-75 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:DRAMs for Mobile Applications |
| HYB18L256160BCL-7.5 | 制造商:QIMONDA 制造商全稱:QIMONDA 功能描述:DRAMs for Mobile Applications 256-Mbit Mobile-RAM |
| HYB18L256160BCX-7.5 | 制造商:QIMONDA 制造商全稱:QIMONDA 功能描述:DRAMs for Mobile Applications 256-Mbit Mobile-RAM |
| HYB18L256160BF | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:DRAMs for Mobile Applications |
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