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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB18L256160B |
| 廠商： | QIMONDA |
| 英文描述： | DRAMs for Mobile Applications 256-Mbit Mobile-RAM |
| 中文描述： | DRAM的針對(duì)移動(dòng)應(yīng)用256兆移動(dòng)RAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 29/58頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1766K |
| 代理商： | HYB18L256160B |
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Data Sheet
Rev. 1.73, 2006-09
01302004-CZ2R-J9SE
29
HY[B/E]18L256160B[C/F]L-7.5
256-Mbit Mobile-RAM
TABLE 13
Timing Parameters for WRITE
FIGURE 25
WRITE Burst (CAS Latency = 2)
Parameter
Symbol
- 7.5
Units
Note
min.
max.
DQ and DQM input setup time
DQ input hold time
DQM input hold time
DQM write mask latency
ACTIVE to ACTIVE command period
ACTIVE to READ or WRITE delay
ACTIVE to PRECHARGE command period
WRITE recovery time
PRECHARGE command period
t
IS
t
IH
1.5
0.8
0.5
0
67
19
45
14
19
—
—
—
—
—
—
100k
—
—
ns
ns
ns
t
CK
ns
ns
ns
ns
ns
—
—
—
—
t
DQW
t
RC
t
RCD
t
RAS
t
WR
t
RP
1)
1) These parameters account for the number of clock cycles and depend on the operating frequency as follows:
no. of clock cycles = specified delay / clock period; round up to next integer.
1)
1)
1)
1)
%D $ &RO Q EDQN $ FROXPQ Q
', Q 'DWD ,Q WR FROXPQ Q
%XUVW /H QJWK
VXEVHTXHQW HOHPHQWV RI 'DWD ,Q DUH SURYLGHG LQ WKH SURJUDPPHG RUGHU IROORZLQJ ', Q
LQ WKH FDVH VKRZQ
'RQW &DUH
&/.
W
5&'
W
5$6
W
5&
W
53
W
:5
&RPPDQG
123
:5,7(
123
123
123
35(
123
$& 7
$& 7
123
$G GUHVV
%D $
&RO Q
%D $
5RZ [
5RZ E
$3
$3
3UH %DQN $
3UH $ O
$
$3
'4
', Q
', Q
', Q
', Q
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYMP112S64LMP8-C4 | DDR2 SDRAM SO-DIMM |
| HYMP112S64LMP8-C5 | DDR2 SDRAM SO-DIMM |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| HYB18L256160BCL-7.5 | 制造商:QIMONDA 制造商全稱:QIMONDA 功能描述:DRAMs for Mobile Applications 256-Mbit Mobile-RAM |
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| HYB18L256160BF | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:DRAMs for Mobile Applications |
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