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參數(shù)資料
| 型號： | IS43R16800A-6 |
| 廠商： | Integrated Silicon Solution, Inc. |
| 英文描述： | 8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM |
| 中文描述： | 8Meg × 16的128 - Mbit DDR SDRAM內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 31/47頁 |
| 文件大?。?/td> | 473K |
| 代理商： | IS43R16800A-6 |
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Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev.
00
A
04/04/06
31
ISSI
IS43R16800A-6
A Read command to the consecutive Write command interval with the BST command
Destination row of the consecutive write
command
Bank
address
Issue the BST command. tBSTW (
≥
tBSTZ) after the BST command, the
consecutive write command can be issued.
Precharge the bank to interrupt the preceding read operation. tRP after the
precharge command, issue the ACT command. tRCD after the ACT command, the
consecutive write command can be issued. See ‘A read command to the
consecutive precharge interval’ section.
Issue the BST command. tBSTW (
≥
tBSTZ) after the BST command, the
consecutive write command can be issued.
Precharge the bank independently of the preceding read operation. tRP after the
precharge command, issue the ACT command. tRCD after the ACT command, the
consecutive write command can be issued.
Row address State
Operation
1. Same
Same
ACTIVE
2. Same
Different
—
3. Different
Any
ACTIVE
IDLE
out0 out1
in0
in1
in2
in3
CK
/CK
DM
DQ
Command
t1
t0
t2
t3
t4
t5
t6
t7
t8
BL = 4
CL = 2
DQS
OUTPUT
INPUT
tBSTW (
≥
tBSTZ)
High-Z
READ
WRIT
BST
NOP
NOP
tBSTZ (= CL)
READ to WRITE Command Interval
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS43R16800A-6T | 8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM |
| IS43R16800A-6TL | 8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM |
| IS43R16800A1 | 8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM |
| IS43R16800A1-5TL | 8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM |
| IS43R32400A | 4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS43R16800A-6T | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM |
| IS43R16800A-6TL | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM |
| IS43R16800C-5TL | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M 8Mx16 200MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS43R16800C-5TL-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M 8Mx16 200MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS43R16800CC-5TL | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M (8Mx16) 200MHz DDR 2.5v RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
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