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參數(shù)資料
| 型號： | IS43R16800A-6 |
| 廠商： | Integrated Silicon Solution, Inc. |
| 英文描述： | 8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM |
| 中文描述： | 8Meg × 16的128 - Mbit DDR SDRAM內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 9/47頁 |
| 文件大小： | 473K |
| 代理商： | IS43R16800A-6 |
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Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. 00A
04/04/06
9
ISSI
IS43R16800A-6
AC TEST CONDITIONS
Output Load
AC TEST CONDITIONS
Parameter
Input High Voltage
Input Low Voltage
Input Signal Slew Rate
Input Timing Reference Level
Termination Voltage
Symbol
V
IH
(AC)
V
IL
(AC)
SLEW
V
REF
V
TT
Value
V
REF
+ 0.31
V
REF
- 0.31
1
V
DDQ
/2
V
REF
Unit
V
V
V/ns
V
V
Input Differential Voltage (CK and
CK
)
Input Differential Crossing Voltage
V
ID
(AC)
V
IX
(AC)
0.62
V
REF
V
V
DQ
R
T
= 50
Ω
V
TT
C
L
= 30 pF
OPERATING FREQUENCY / LATENCY RELATIONSHIPS (
t
CK
= 6ns, CL = 2.5)
SYMBOL
PARAMETER
t
WPD
Write to Pre-charge command delay (same bank)
t
RPD
Read to Pre-charge command delay (same bank)
t
WRD
Write to Read command delay (to input all data)
t
BSTW
Burst Stop command to Write command delay
t
BSTZ
Burst Stop command to DQ High-Z
t
RWD
Read command to Write command delay (to output all data)
t
HZP
Pre-charge command to High-Z
t
WCD
Write command to data in latency
t
WR
Write Recovery
t
DMD
DM to Data-In latency
t
MRD
Mode Register Set command cycle time
t
SNR
Self Refresh Exit to non-read command
t
SRD
Self Refresh Exit to Read command
t
PDEN
Power Down Entry
t
PDEX
Power Down Exit to command input
UNITS
Cycle
Cycle
Cycle
Cycle
Cycle
Cycle
Cycle
Cycle
Cycle
Cycle
Cycle
Cycle
Cycle
Cycle
Cycle
4 + BL/2
BL/2
2 + BL/2
3
2.5
3 + BL/2
2.5
1
3
0
2
12
200
1
1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS43R16800A-6T | 8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM |
| IS43R16800A-6TL | 8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM |
| IS43R16800A1 | 8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM |
| IS43R16800A1-5TL | 8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM |
| IS43R32400A | 4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS43R16800A-6T | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM |
| IS43R16800A-6TL | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM |
| IS43R16800C-5TL | 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 128M 8Mx16 200MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS43R16800C-5TL-TR | 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 128M 8Mx16 200MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS43R16800CC-5TL | 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 128M (8Mx16) 200MHz DDR 2.5v RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
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