參數(shù)資料
型號(hào): IS43R16800A-6
廠商: Integrated Silicon Solution, Inc.
英文描述: 8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM
中文描述: 8Meg × 16的128 - Mbit DDR SDRAM內(nèi)存
文件頁數(shù): 43/47頁
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代理商: IS43R16800A-6
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev.
00
A
04/04/06
43
ISSI
IS43R16800A-6
Mode Register Set Cycle
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
/CK
CK
CKE
/CS
/RAS
/CAS
/WE
BA
Address
DM
DQ (output)
b
valid
code
code
tRP
Precharge
If needed
Mode
register
set
Bank 3
Active
Bank 3
Read
R: b
C: b
VIH
Bank 3
Precharge
tMRD
High-Z
High-Z
CL = 2
BL = 4
= VIH or VIL
DQS
Read/Write Cycle
R:a
C:a
C:b
R:b
C:b''
b’’
Bank 0
Active
Bank 3
Active
Bank 0
Read
Bank 3
Read
CKE
/RAS
/CS
DQS
/CAS
/WE
Address
CK
BA
DQ (output)
DQ (input)
/CK
Bank 3
Write
tWRD
High-Z
VIH
tRWD
b
Read cycle
CL = 2
BL = 4
=VIH or VIL
DM
a
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS43R16800A-6T 8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM
IS43R16800A-6TL 8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM
IS43R16800A1 8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM
IS43R16800A1-5TL 8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM
IS43R32400A 4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IS43R16800A-6T 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM
IS43R16800A-6TL 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM
IS43R16800C-5TL 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128M 8Mx16 200MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS43R16800C-5TL-TR 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128M 8Mx16 200MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS43R16800CC-5TL 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128M (8Mx16) 200MHz DDR 2.5v RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube