參數(shù)資料
型號(hào): IS43R16800A-6
廠商: Integrated Silicon Solution, Inc.
英文描述: 8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM
中文描述: 8Meg × 16的128 - Mbit DDR SDRAM內(nèi)存
文件頁(yè)數(shù): 39/47頁(yè)
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代理商: IS43R16800A-6
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev.
00
A
04/04/06
39
ISSI
IS43R16800A-6
DM Control
DM can mask input data. In
×
16 products, UDM and LDM can mask the upper and lower byte of input data,
respectively. By setting DM to Low, data can be written. When DM is set to High, the corresponding data is not
written, and the previous data is held. The latency between DM input and enabling/disabling mask function is 0.
Mask
Mask
DQS
DQ
DM
t1
t2
t3
t4
t5
t6
Write mask latency = 0
DM Control
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS43R16800A-6T 8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM
IS43R16800A-6TL 8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM
IS43R16800A1 8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM
IS43R16800A1-5TL 8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM
IS43R32400A 4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IS43R16800A-6T 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM
IS43R16800A-6TL 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM
IS43R16800C-5TL 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128M 8Mx16 200MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS43R16800C-5TL-TR 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128M 8Mx16 200MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS43R16800CC-5TL 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128M (8Mx16) 200MHz DDR 2.5v RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube