參數(shù)資料
型號： IS43R16800A-6
廠商： Integrated Silicon Solution, Inc.
英文描述： 8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM
中文描述： 8Meg × 16的128 - Mbit DDR SDRAM內(nèi)存
文件頁數(shù)： 7/47頁
文件大小： 473K
代理商： IS43R16800A-6
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. 00A
04/04/06
7
ISSI
IS43R16800A-6
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(V
DD
= 2.5V +/- 0.2V, T
A
= 0
o
C to +70
o
C)
-6 (2.5-3-3)
Min.
7.5
6
0.45
0.45
t
CH
or t
CL
-0.7
-0.6
—
t
HP
- t
QHS
—
-0.7
-0.7
0.9
0.4
0.75
0.2
0.2
0
0.25
0.4
0.35
0.35
0.75
0.75
2.2
0.45
0.45
60
72
42
18
18
18
t
RCD
min.
12
15
2
t
WR
/t
CK
+ t
RP
/t
CK
—
Symbol
t
CK
Parameter
Clock Cycle Time
Test Condition
CL = 2
CL = 2.5
Max.
12
12
0.55
0.55
—
0.7
0.6
0.45
—
0.55
0.7
0.7
1.1
0.6
1.25
—
—
—
—
0.6
—
—
—
—
—
—
—
—
—
120K
—
—
—
—
—
—
—
—
15.6
Unit
ns
t
CH
t
CL
t
HP
t
AC
t
DQSCK
t
DQSQ
t
QH
t
QHS
t
HZ
t
LZ
t
RPRE
t
RPST
t
DQSS
t
DSS
t
DSH
t
WPRES
t
WPRE
t
WPST
t
DQSH
t
DQSL
t
IS
t
IH
t
IPW
t
DS
t
DH
t
RC
t
RFC
t
RAS
t
RCDRD
t
RCDWR
t
RP
t
RAP
t
RRD
t
WR
t
MRD
t
DAL
t
REF
Clock High Level Width
Clock Low Level Width
Clock Half Period
Output Access Time from CK,
CK
DQS-Out Access Time from CK,
CK
DQS-DQ Skew
Output DQS Valid Window
Data Hold Skew factor
Data Out High Impedance time from CK,
CK
Data Out Low Impedance time from CK,
CK
Read Preamble
Read Postamble
CK to Valid DQS-In
DQS falling edge to CK setup time
DQS falling edge hold time from CK
Write Preamble Setup Time
Write Preamble
Write Postamble
DQS-In High Level Pulse Width
DQS-In Low Level Pulse Width
Address and Control Input Setup Time
Address and Control Input Hold Time
Address and Control Input Pulse Width
DQ and DM Setup Time to DQS
DQ and DM Hold Time to DQS
Active to Active/ Auto Refresh Command Period
Auto Refresh to Active/ Auto Refresh Command Period
Active to Precharge Command Period
RAS
to
CAS
Delay in Read
RAS
to
CAS
Delay in Write
Row Pre-charge Time
Active to Auto Precharge delay
Row Active to Row Active Delay
Write Recovery Time
Mode Register Load Delay
Auto Pre-charge Write Recovery + Pre-charge
Refresh Interval Time
t
CK
t
CK
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
CK
t
CK
t
CK
t
CK
t
CK
ns
ns
t
CK
t
CK
t
CK
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
CK
t
CK
μs
Notes:
1. Operating outside the “Absolute Maximum Ratings” may lead to temporary or permanent device failure.
2. Power up sequence describe in “Initialization” section.
3. All voltages are referenced to Vss.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS43R16800A-6T 8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM
IS43R16800A-6TL 8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM
IS43R16800A1 8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM
IS43R16800A1-5TL 8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM
IS43R32400A 4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM
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IS43R16800C-5TL 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M 8Mx16 200MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS43R16800C-5TL-TR 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M 8Mx16 200MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS43R16800CC-5TL 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M (8Mx16) 200MHz DDR 2.5v RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
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