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參數(shù)資料
| 型號： | IS43R16800A1 |
| 廠商： | Integrated Silicon Solution, Inc. |
| 英文描述： | 8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM |
| 中文描述： | 8Meg × 16的128 - Mbit DDR SDRAM內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 53/72頁 |
| 文件大?。?/td> | 2174K |
| 代理商： | IS43R16800A1 |
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Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. 00A
04/17/06
53
ISSI
IS43R16800A1
AC Characteristics
(Notes 1-5 apply to the following Tables; Electrical Characteristics and DC Operating Conditions, AC Operating Conditions, I
DD
Specifications and Conditions, and Electrical Characteristics and AC Timing.)
1. All voltages referenced to V
SS
.
2. Tests for AC timing, I
DD
, and electrical, AC and DC characteristics, may be conducted at nominal reference/supply voltage
levels, but the related specifications and device operation are guaranteed for the full voltage range specified.
3. Outputs measured with equivalent load. Refer to the AC Output Load Circuit below.
4. AC timing and I
DD
tests may use a V
IL
to V
IH
swing of up to 1.5V in the test environment, but input timing is still referenced
to V
REF
(or to the crossing point for CK, CK), and parameter specifications are guaranteed for the specified AC input levels
under normal use conditions. The minimum slew rate for the input signals is 1V/ns in the range between V
IL(AC)
and
V
IH(AC)
.
5. The AC and DC input level specifications are as defined in the SSTL_2 Standard (i.e. the receiver effectively switches as a
result of the signal crossing the AC input level, and remains in that state as long as the signal does not ring back above
(below) the DC input low (high) level.
AC Output Load Circuit Diagrams
50
Timing Reference Point
Output
(V
OUT
)
30pF
V
TT
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS43R16800A1-5TL | 8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM |
| IS43R32400A | 4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM |
| IS43R32400A-5B | 4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM |
| IS43R32400A-5BL | 4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM |
| IS43R32400A-6B | 4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS43R16800A1-5TL | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM |
| IS43R16800A-5T | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M 2.5v 8Mx16 400MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS43R16800A-5TL | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M 2.5v 8Mx16 400MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS43R16800A-5TL-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M 2.5v 8Mx16 400MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS43R16800A-5T-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M 2.5v 8Mx16 400MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
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