參數(shù)資料
型號： IS43R16800A1
廠商： Integrated Silicon Solution, Inc.
英文描述： 8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM
中文描述： 8Meg × 16的128 - Mbit DDR SDRAM內(nèi)存
文件頁數(shù)： 55/72頁
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代理商： IS43R16800A1
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. 00A
04/17/06
55
ISSI
IS43R16800A1
Electrical Characteristics & AC Timing - Absolute Specifications
(0 °C
≤
T
A
≤
70
°
C
;
V
DD
= V
DDQ
= 2.5V
±
0.2V (
-
6/
-
75); V
DD
= V
DDQ
= 2.6V
±
0.1V (
-
5/
-
43), See AC Characteristics) (Part 1 of
2)
Symbol
Parameter
DDR266
-
75
DDR333
-
6
DDR400
-
5
DDR466
-
43
Unit
Notes
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
t
AC
DQ output access time from CK/CK
0.75
+
0.75
0.70
+
0.70
0.65
+
0.65
0.6
+
0.6
ns
1-4
t
DQSCK
DQS output access time from CK/CK
0.75
+
0.75
0.60
+
0.60
0.55
+
0.55
0.5
+
0.5
ns
1-4
t
CH
CK high-level width
0.45
0.55
0.45
0.55
0.45
0.55
0.45
0.55
t
CK
1-4
t
CL
CK low-level width
0.45
0.55
0.45
0.55
0.45
0.55
0.45
0.55
t
CK
1-4
t
CK
Clock cycle time
CL = 3
-
-
-
-
5
8
4
10
ns
1-4
CL = 2.5
7.5
12
6
12
5
12
4.3
8.6
CL = 2.0
10
12
7.5
12
-
-
-
-
t
DH
DQ and DM input hold time
0.5
0.45
0.4
0.4
ns
1-4,
15, 16
t
DS
DQ and DM input setup time
0.5
0.45
0.4
0.4
ns
1-4,
15, 16
t
IPW
Input pulse width
2.2
2.2
2.2
2.2
ns
2-4, 12
t
DIPW
DQ and DM input pulse width (each input)
1.75
1.75
1.75
1.75
ns
1-4
t
HZ
Data-out high-impedance time from CK/CK
0.75
+
0.75
0.7
+
0.7
0.6
+
0.6
0.6
+
0.6
ns
1-4, 5
t
LZ
Data-out low-impedance time from CK/CK
0.75
+
0.75
0.7
+
0.7
0.6
+
0.6
0.6
+
0.6
ns
1-4, 5
t
DQSQ
DQS-DQ skew (DQS &
associated DQ signals)
TSOP Package
+
0.5
+
0.45
+
0.4
+
0.4
ns
1-4
t
HP
Minimum half clk period for any given cycle;
defined by clk high (t
CH
) or clk low (t
CL
) time
min
(t
CL
,
t
CH
)
min
(t
CL
,
t
CH
)
min
(t
CL
,
t
CH
)
min
(t
CL
,
t
CH
)
t
CK
1-4
t
QH
Data output hold time from DQS
t
HP
-
t
QHS
t
HP
-
t
QHS
t
HP
-
t
QHS
t
HP
-
t
QHS
t
CK
1-4
t
QHS
Data hold Skew Factor
TSOP Package
0.75
0.55
0.5
0.5
t
CK
1-4
t
DQSS
Write command to 1st DQS latching
transition
0.75
1.25
0.75
1.25
0.72
1.28
0.72
1.28
t
CK
1-4
t
DQSH
DQS input high pulse width (write cycle)
0.35
0.35
0.35
0.35
t
CK
1-4
t
DQSL
DQS input low pulse width (write cycle)
0.35
0.35
0.35
0.35
t
CK
1-4
t
DSS
DQS falling edge to CK setup time (write cycle)
0.2
0.2
0.2
0.2
t
CK
1-4
t
DSH
DQS falling edge hold time from CK (write cycle)
0.2
0.2
0.2
0.2
t
CK
1-4
t
MRD
Mode register set command cycle time
2
2
2
2
t
CK
1-4
t
WPRES
Write preamble setup time
0
0
0
0
ns
1-4, 7
t
WPST
Write postamble
0.40
0.60
0.40
0.60
0.40
0.60
0.40
0.60
t
CK
1-4, 6
t
WPRE
Write preamble
0.25
0.25
0.25
0.25
t
CK
1-4
t
IH
Address and control input hold time
(fast slew rate)
0.9
0.75
0.6
0.6
ns
2-4, 9,
11, 12
t
IS
Address and control input setup time
(fast slew rate)
0.9
0.75
0.6
0.6
ns
2-4, 9,
11, 12
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS43R16800A1-5TL 8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM
IS43R32400A 4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM
IS43R32400A-5B 4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM
IS43R32400A-5BL 4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM
IS43R32400A-6B 4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM
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參數(shù)描述
IS43R16800A1-5TL 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM
IS43R16800A-5T 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128M 2.5v 8Mx16 400MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS43R16800A-5TL 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128M 2.5v 8Mx16 400MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS43R16800A-5TL-TR 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128M 2.5v 8Mx16 400MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS43R16800A-5T-TR 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128M 2.5v 8Mx16 400MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
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