參數(shù)資料
型號(hào)： IS75V16F128GS32-7065BI
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類： 存儲(chǔ)器
英文描述： 3.0 Volt Multi-Chip Package (MCP) 128 Mbit Simultaneous Operation Flash Memory and 32 Mbit Pseudo Static RAM
中文描述： SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA107
封裝： 9 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-107
文件頁(yè)數(shù)： 27/52頁(yè)
文件大小： 264K
代理商： IS75V16F128GS32-7065BI
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
PRELIMINARY INFORMATION
Rev. 00D
03/24/03
27
IS75V16F128GS32
ISSI
FLASH WRITE CYCLE - FLASH 1 or FLASH 2
(
CEf
CONTROL)
Notes:
1
. PA is address of the memory location to be programmed.
2. PD is data to be programmed at byte address.
3.
DQ
7 is the output of the complement of the data written to the device.
4. DOUT is the output of the data written to the device.
5. Figure indicates last two bus cycles out of four bus cycle sequence.
ADDRESS
DQ
CEf
1
OE
WE
A0h
DQ
7
Dout
PA
555h
t
WC
PA
Data
Polling
PD
t
AS
3rd Bus Cycle
t
AH
t
DS
t
DH
t
WHWH1
t
WS
t
WH
t
GHEL
t
CP
t
CPH
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS75V16F64GS16-7080DI 64 Mbit FLASH MEMORY AND 16 Mbit PSEUDO SRAM STACKED MULTI-CHIP PACKAGE (MCP)
IS80C31 CMOS SINGLE CHIP 8-BIT MICROCONTROLLER
IS80C31-12PL CMOS SINGLE CHIP 8-BIT MICROCONTROLLER
IS80C31-12PLI CMOS SINGLE CHIP 8-BIT MICROCONTROLLER
IS80C31-12PQ CMOS SINGLE CHIP 8-BIT MICROCONTROLLER
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IS75V16F64GS16-7080DI 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:64 Mbit FLASH MEMORY AND 16 Mbit PSEUDO SRAM STACKED MULTI-CHIP PACKAGE (MCP)
IS76 制造商:IDEC CORPORATION 功能描述:SENS.IND. 10-30VDC PNP NO
IS76K 制造商:IDEC CORPORATION 功能描述:SENS.IND. 10-30VDC PNP NO
IS76KS 制造商:IDEC CORPORATION 功能描述:SENS.IND. 10-30VDC PNP NO
IS76L 制造商:IDEC CORPORATION 功能描述:SENS.IND. 10-30VDC PNP NO
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