- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄373088 > K9K4G08U1M (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) 256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit / 512M x 8 Bit NAND Flash Memory PDF資料下載
參數資料
| 型號： | K9K4G08U1M |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit / 512M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| 中文描述： | 256M × 8位/ 128M的× 16位/ 512M × 8位NAND閃存 |
| 文件頁數： | 25/40頁 |
| 文件大?。?/td> | 839K |
| 代理商： | K9K4G08U1M |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁當前第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁
FLASH MEMORY
25
Preliminary
K9F2G08U0M K9F2G16U0M
K9K4G08U1M
X8 device : m = 2112byte
X16 device : m = 1056word
Page Program Operation
CE
CLE
R/B
WE
ALE
RE
80h
70h
I/O
0
Din
N
1 up to m Byte
Serial Input
Din
M
10h
SerialData
Input Command
Column Address
Row Address
Program
Command
Read Status
Command
I/O
0
=0 Successful Program
I/O
0
=1 Error in Program
t
PROG
t
WB
t
WC
t
WC
t
WC
≈
≈
≈
I/Ox
Co.l Add1
Col. Add2
Row Add1
Row Add2 Row Add3
t
ADL
NOTES :
tADL is the time from the WE rising edge of final address cycle to the WE rising edge of first data cycle.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K9S1208V0M-SSB0 | 64M x 8 Bit SmartMedia Card |
| K9S1208V0 | 64MB & 128MB SmartMediaTM Card |
| K9D1G08V0M | 64MB & 128MB SmartMediaTM Card |
| K9S6408V0A-SSB0 | 8M x 8 Bit SmartMediaTM Card |
| KA-3020 | 3x2mm SINGLE COLOR SURFACE MOUNT LED LAMPS |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| K9K4G16Q0M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512M x 8 Bit / 256M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9K4G16U0M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512M x 8 Bit / 256M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9K8G08U0A | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1G x 8 Bit / 2G x 8 Bit / 4G x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9K8G08U0A-P | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1G x 8 Bit / 2G x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9K8G08U0A-PCB0T00 | 制造商:Samsung SDI 功能描述: |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。