參數(shù)資料
型號(hào): KM44S16030B
廠商: SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述: 4M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM(4M x 4位 x 4組同步動(dòng)態(tài)RAM)
中文描述: 4米× 4位× 4銀行同步DRAM(4米× 4位× 4組同步動(dòng)態(tài)RAM)的
文件頁(yè)數(shù): 34/43頁(yè)
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代理商: KM44S16030B
TIMING DIAGRAM - III
CMOS SDRAM
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
ELECTRONICS
REV. 2 Mar. '98
Read & Write Cycle at Different Bank @Burst Length=4
HIGH
RAa
Row Active
(A-Bank)
Write
(D-Bank)
Precharge
(B-Bank)
: Don't care
*Note :
1. t
CDL
should be met to complete write.
Read
(A-Bank)
RAa
CDb
RBc
*Note 1
tCDL
RDb
CAa
RAc
Row Active
(D-Bank)
Precharge
(A-Bank)
Read
(B-Bank)
CBc
RBb
BA
0
BA
1
A
10
/AP
CL=2
CL=3
DQ
ADDR
CAS
RAS
CS
CKE
CLOCK
WE
DQM
QAa0 QAa1
QAa2 QAa3
QAa0
QAa1
QAa2 QAa3
DDb0
DDb1 DDb2 DDb3
DDb0
DDb1 DDb2 DDb3
QBc0
QBc1
QBc2
QBc0
QBc1
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PDF描述
KM44S16030C 4M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM(4M x 4位 x 4組同步動(dòng)態(tài)RAM)
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