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參數(shù)資料
| 型號： | KM44S16030B |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 4M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM(4M x 4位 x 4組同步動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 4米× 4位× 4銀行同步DRAM（4米× 4位× 4組同步動態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 36/43頁 |
| 文件大?。?/td> | 625K |
| 代理商： | KM44S16030B |
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TIMING DIAGRAM - III
CMOS SDRAM
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
ELECTRONICS
REV. 2 Mar. '98
Read & Write Cycle with Auto Precharge II @Burst Length=4
HIGH
Row Active
(A-Bank)
: Don't care
*Note :
¨
Any command to A-bank is not allowed in this period.
tRP is determined from at auto precharge start point
Read with
Auto Precharge
(A-Bank)
Auto Precharge
Start Point
(A-Bank)
Row Active
(B-Bank)
Read with
Auto Precharge
(B-Bank)
BA
0
A
10
/AP
CL=2
CL=3
DQ
ADDR
CAS
RAS
CS
CKE
CLOCK
WE
DQM
Qa0
Qa1
Qa2
Qa3
Qa0
Qa1
Qa2
Qa3
Qb0
Qb1
Qb2
Qb3
Qb0
Qb1
Qb2
Qb3
Ra
Ca
Ra
Cb
Rb
Rb
*
¨
Auto Precharge
Start Point
(B-Bank)
BA
1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM44S16030C | 4M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM(4M x 4位 x 4組同步動態(tài)RAM) |
| KM44S32030B | 128Mbit SDRAM 8M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| KM44S32030 | 8M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM(8M x 4位 x 4組同步動態(tài)RAM) |
| KM44V16104B | 16M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out(16M x 4位CMOS 動態(tài)RAM(帶擴展數(shù)據(jù)輸出)) |
| KM44V16004B | 16M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out(16M x 4位CMOS 動態(tài)RAM(帶擴展數(shù)據(jù)輸出)) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| KM44S32030B | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit SDRAM 8M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| KM44S32030BT-G/F10 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit SDRAM 8M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| KM44S32030BT-G/F8 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit SDRAM 8M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| KM44S32030BT-G/FA | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit SDRAM 8M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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