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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KM44S16030B |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 4M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM(4M x 4位 x 4組同步動(dòng)態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 4米× 4位× 4銀行同步DRAM（4米× 4位× 4組同步動(dòng)態(tài)RAM）的 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 37/43頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 625K |
| 代理商： | KM44S16030B |
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TIMING DIAGRAM - III
CMOS SDRAM
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ELECTRONICS
REV. 2 Mar. '98
Clock Suspension & DQM Operation Cycle @CAS Latency=2, Burst Length=4
Ra
Row Active
Clock
Suspension
Read
Write
DQM
: Don't care
Clock
Suspension
Read
*Note 1
tSHZ
tSHZ
Write
DQM
Write
Read DQM
*Note :
1. DQM is needed to prevent bus contention.
BA
0
BA
1
DQ
ADDR
CAS
RAS
CS
CKE
CLOCK
WE
DQM
A
10
/AP
Ra
Ca
Cb
Cc
Dc2
Dc0
Qb1
Qb0
Qa3
Qa2
Qa1
Qa0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM44S16030C | 4M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM(4M x 4位 x 4組同步動(dòng)態(tài)RAM) |
| KM44S32030B | 128Mbit SDRAM 8M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| KM44S32030 | 8M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM(8M x 4位 x 4組同步動(dòng)態(tài)RAM) |
| KM44V16104B | 16M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out(16M x 4位CMOS 動(dòng)態(tài)RAM(帶擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出)) |
| KM44V16004B | 16M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out(16M x 4位CMOS 動(dòng)態(tài)RAM(帶擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出)) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM44S32030 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| KM44S32030B | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit SDRAM 8M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| KM44S32030BT-G/F10 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit SDRAM 8M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| KM44S32030BT-G/F8 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit SDRAM 8M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| KM44S32030BT-G/FA | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit SDRAM 8M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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