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參數(shù)資料
| 型號： | KM44S16030B |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 4M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM(4M x 4位 x 4組同步動(dòng)態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 4米× 4位× 4銀行同步DRAM（4米× 4位× 4組同步動(dòng)態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 43/43頁 |
| 文件大?。?/td> | 625K |
| 代理商： | KM44S16030B |
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TIMING DIAGRAM - III
CMOS SDRAM
0 1 2 3 4 5 6 7 8 90 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
ELECTRONICS
REV. 2 Mar. '98
Mode Register Set Cycle
HIGH
MRS
Auto Refresh
: Don't care
*Note :
1. CS, RAS, CAS, & WE activation at the same clock cycle with address key will set internal mode register.
2. Minimum 2 clock cycles should be met before new RAS activation.
3. Please refer to Mode Register Set table.
New
Command
New Command
Hi-Z
Hi-Z
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
tRC
ó
ó
HIGH
MODE REGISTER SET CYCLE
* All banks precharge should be completed before Mode Register Set cycle and auto refresh cycle.
Auto Refresh Cycle
DQ
ADDR
CAS
RAS
CS
CKE
CLOCK
WE
DQM
Key
Ra
*Note 3
*Note 1
*Note 2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM44S16030C | 4M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM(4M x 4位 x 4組同步動(dòng)態(tài)RAM) |
| KM44S32030B | 128Mbit SDRAM 8M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| KM44S32030 | 8M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM(8M x 4位 x 4組同步動(dòng)態(tài)RAM) |
| KM44V16104B | 16M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out(16M x 4位CMOS 動(dòng)態(tài)RAM(帶擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出)) |
| KM44V16004B | 16M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out(16M x 4位CMOS 動(dòng)態(tài)RAM(帶擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出)) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM44S32030 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| KM44S32030B | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit SDRAM 8M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| KM44S32030BT-G/F10 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit SDRAM 8M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| KM44S32030BT-G/F8 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit SDRAM 8M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| KM44S32030BT-G/FA | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit SDRAM 8M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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