參數(shù)資料
型號(hào)： LH28F320S3H-L
廠商： Sharp Corporation
英文描述： 32 M-bit(4 MB x 8/2 MB x 16)Smart3 Flash Memories(32M位 (4M位 x 8/2M位 x 16) Smart3 技術(shù)閃速存儲(chǔ)器)
中文描述： 32 M位（4字節(jié)× 8 / 2 MB的× 16）Smart3閃存（32兆位（4分位x 8/2M位× 16）Smart3技術(shù)閃速存儲(chǔ)器）
文件頁(yè)數(shù)： 25/51頁(yè)
文件大小： 340K
代理商： LH28F320S3H-L
PRELMNARY
LH28F320S3-L/S3H-L
- 25 -
Full Chip Erase
Complete
Start
Write 70H
Read
Status Register
0
0
SR.7 =
1
SR.7 =
1
Write 30H
Write D0H
Read
Status Register
Full Status
Check if Desired
SR.3 =
FULL STATUS CHECK PROCEDURE
Read Status Register
Data (See Above)
V
PP
Range Error
1
0
SR.4, 5 =
Command Sequence
Error
1
0
BUS
OPERATION
COMMAND
COMMENTS
Standby
Check SR.5
1 = Full Chip Erase Error
SR.5, SR.4, SR.3 and SR.1 are only cleared by the Clear
Status Register command in cases where multiple blocks
are erased before full status is checked.
If error is detected, clear the status register before attempting
retry or other error recovery.
Full Chip Erase
Successful
Full status check can be done after each full chip erase.
Write FFH after the last full chip erase operation to place
device in read array mode.
1
0
Standby
Check SR.3
1 = V
PP
Error Detect
Standby
Check SR.4, 5
Both 1 = Command Sequence Error
BUS
OPERATION
Write
Read
Standby
Standby
COMMAND
Read Status
Register
COMMENTS
Data = 70H
Addr = X
Status Register Data
Status Register Data
Check SR.7
1 = WSM Ready
0 = WSM Busy
Check SR.7
1 = WSM Ready
0 = WSM Busy
Full Chip
Erase Confirm
Full Chip
Erase Setup
Write
Write
Read
Data = D0H
Addr = X
Data = 30H
Addr = X
Fig. 4 Automated Full Chip Erase Flowchart
相關(guān)PDF資料
PDF描述
LH28F320S3HNS-L11 32-MBIT(4MBx8/2MBx16)Smart 3 Flash MEMORY
LH28F320S3NS Smart voltage 32Mbit Flash Memory
LH28F320S3TD-L10 32 M-bit (2 MB x 8/1 MB x 16 x 2-Bank) Smart 3 Dual Work Flash Memory
LH28F320S3 32M (4M x8/2M x16)Smart 3 Flash Memory(32M (4M x8/2M x16) Smart3 技術(shù) 閃速存儲(chǔ)器)
LH28F320S5H-L 32M-BIT ( 2Mbit x16 / 4Mbit x8 )Boot Block Flash MEMORY(32M位( 2M位 x16 / 4M位 x8 )Boot Block 閃速存儲(chǔ)器)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
LH28F320S3H-L11 制造商:SHARP 制造商全稱:Sharp Electrionic Components 功能描述:32-MBIT(4MBx8/2MBx16)Smart 3 Flash MEMORY
LH28F320S3H-L14 制造商:SHARP 制造商全稱:Sharp Electrionic Components 功能描述:32-MBIT(4MBx8/2MBx16)Smart 3 Flash MEMORY
LH28F320S3HNS-L11 功能描述:IC FLASH 32MBIT 110NS 56SSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:96 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:FLASH 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.65 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤
LH28F320S3HNS-L14 制造商:SHARP 制造商全稱:Sharp Electrionic Components 功能描述:32-MBIT(4MBx8/2MBx16)Smart 3 Flash MEMORY
LH28F320S3HNS-ZM 功能描述:IC FLASH 32MBIT 110NS 56SSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869
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