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參數(shù)資料
| 型號： | LH28F320S3H-L |
| 廠商： | Sharp Corporation |
| 英文描述： | 32 M-bit(4 MB x 8/2 MB x 16)Smart3 Flash Memories(32M位 (4M位 x 8/2M位 x 16) Smart3 技術(shù)閃速存儲器) |
| 中文描述： | 32 M位（4字節(jié)× 8 / 2 MB的× 16）Smart3閃存（32兆位（4分位x 8/2M位× 16）Smart3技術(shù)閃速存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 39/51頁 |
| 文件大小： | 340K |
| 代理商： | LH28F320S3H-L |
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CE# Low to BYTE# High or Low
t
ELFH
NOTES :
1.
See AC Input/Output Reference Waveform (
Fig. 12
and
Fig. 13
) for maximum allowable input slew rate.
2.
OE# may be delayed up to t
ELQV
-t
GLQV
after the falling edge of CE# without impact on t
ELQV
.
3.
Sampled, not 100% tested.
LH28F320S3-L/S3H-L
- 39 -
6.2.4 AC CHARACTERISTICS - READ-ONLY OPERATIONS
(NOTE 1)
V
CC
= 2.7 to 3.6 V, T
A
= 0 to +70
C or –40 to +85°C
VERSIONS
LH28F320S3-L11
LH28F320S3H-L11
MIN.
140
LH28F320S3-L14
LH28F320S3H-L14
MIN.
160
UNIT
SYMBOL
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
PHQV
t
GLQV
t
ELQX
t
EHQZ
t
GLQX
t
GHQZ
PARAMETER
NOTE
MAX.
MAX.
Read Cycle Time
Address to Output Delay
CE# to Output Delay
RP# High to Output Delay
OE# to Output Delay
CE# to Output in Low Z
CE# High to Output in High Z
OE# to Output in Low Z
OE# High to Output in High Z
Output Hold from Address, CE# or
OE# Change, Whichever Occurs First
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
140
140
600
50
160
160
600
55
2
2
3
3
3
3
0
0
50
55
0
0
20
25
t
OH
3
0
0
ns
t
FLQV
t
FHQV
t
FLQZ
t
ELFL
t
ELFH
BYTE# to Output Delay
3
140
160
ns
BYTE# to Output in High Z
3
30
40
ns
CE# Low to BYTE# High or Low
3
5
5
ns
VERSIONS
LH28F320S3-L11
LH28F320S3H-L11
MIN.
110
LH28F320S3-L14
LH28F320S3H-L14
MIN.
140
UNIT
SYMBOL
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
PHQV
t
GLQV
t
ELQX
t
EHQZ
t
GLQX
t
GHQZ
PARAMETER
NOTE
MAX.
MAX.
Read Cycle Time
Address to Output Delay
CE# to Output Delay
RP# High to Output Delay
OE# to Output Delay
CE# to Output in Low Z
CE# High to Output in High Z
OE# to Output in Low Z
OE# High to Output in High Z
Output Hold from Address, CE# or
OE# Change, Whichever Occurs First
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
110
110
600
45
140
140
600
50
2
2
3
3
3
3
0
0
50
55
0
0
20
25
t
OH
3
0
0
ns
t
FLQV
t
FHQV
t
FLQZ
t
ELFL
BYTE# to Output Delay
3
110
140
ns
BYTE# to Output in High Z
3
30
40
ns
3
5
5
ns
V
CC
= 3.3±0.3 V, T
A
= 0 to +70C or –40 to +85°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LH28F320S3HNS-L11 | 32-MBIT(4MBx8/2MBx16)Smart 3 Flash MEMORY |
| LH28F320S3NS | Smart voltage 32Mbit Flash Memory |
| LH28F320S3TD-L10 | 32 M-bit (2 MB x 8/1 MB x 16 x 2-Bank) Smart 3 Dual Work Flash Memory |
| LH28F320S3 | 32M (4M x8/2M x16)Smart 3 Flash Memory(32M (4M x8/2M x16) Smart3 技術(shù) 閃速存儲器) |
| LH28F320S5H-L | 32M-BIT ( 2Mbit x16 / 4Mbit x8 )Boot Block Flash MEMORY(32M位( 2M位 x16 / 4M位 x8 )Boot Block 閃速存儲器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| LH28F320S3H-L11 | 制造商:SHARP 制造商全稱:Sharp Electrionic Components 功能描述:32-MBIT(4MBx8/2MBx16)Smart 3 Flash MEMORY |
| LH28F320S3H-L14 | 制造商:SHARP 制造商全稱:Sharp Electrionic Components 功能描述:32-MBIT(4MBx8/2MBx16)Smart 3 Flash MEMORY |
| LH28F320S3HNS-L11 | 功能描述:IC FLASH 32MBIT 110NS 56SSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:96 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.65 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 |
| LH28F320S3HNS-L14 | 制造商:SHARP 制造商全稱:Sharp Electrionic Components 功能描述:32-MBIT(4MBx8/2MBx16)Smart 3 Flash MEMORY |
| LH28F320S3HNS-ZM | 功能描述:IC FLASH 32MBIT 110NS 56SSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869 |
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