參數(shù)資料
型號(hào)： LH28F320S3H-L
廠商： Sharp Corporation
英文描述： 32 M-bit(4 MB x 8/2 MB x 16)Smart3 Flash Memories(32M位 (4M位 x 8/2M位 x 16) Smart3 技術(shù)閃速存儲(chǔ)器)
中文描述： 32 M位（4字節(jié)× 8 / 2 MB的× 16）Smart3閃存（32兆位（4分位x 8/2M位× 16）Smart3技術(shù)閃速存儲(chǔ)器）
文件頁數(shù)： 46/51頁
文件大?。?/td> 340K
代理商： LH28F320S3H-L
NOTES :
1.
These specifications are valid for all product versions
(packages and speeds).
2.
If RP# is asserted while a block erase, full chip erase,
(multi) word/byte write or block lock-bit configuration
operation is not executing, the reset will complete within
100 ns.
LH28F320S3-L/S3H-L
- 46 -
6.2.7 RESET OPERATIONS
RP# (P)
V
IL
(A) Reset During Read Array Mode
(B) Reset During Block Erase, Full Chip Erase, (Multi) Word/Byte Write
or Block Lock-Bit Configuration
V
IH
High Z
V
IH
High Z
V
OL
V
IL
V
OL
STS (R)
STS (R)
RP# (P)
V
IL
V
IH
RP# (P)
V
IL
V
CC
2.7 V/3.3 V
(C) V
CC
Power Up Timing
t
PLPH
t
PLRH
t
PLPH
t
23VPH
Fig. 19 AC Waveform for Reset Operation
Reset AC Specifications
(NOTE 1)
3.
A reset time, t
PHQV
, is required from the latter of STS
going High Z or RP# going high until outputs are valid.
When the device power-up, holding RP#-low minimum
100 ns is required after V
CC
has been in predefined
range and also has been in stable there.
4.
V
CC
= 2.7 to 3.6 V
MIN.
V
CC
= 3.3±0.3 V
MIN.
UNIT
SYMBOL
PARAMETER
NOTE
MAX.
MAX.
t
PLPH
RP# Pulse Low Time (If RP# is tied to V
CC
,
this specification is not applicable)
RP# Low to Reset during Block Erase,
Full Chip Erase, (Multi) Word/Byte Write
or Block Lock-Bit Configuration
V
CC
2.7 V to RP# High
V
CC
3.0 V to RP# High
100
100
ns
t
PLRH
2, 3
21.5
21.1
μs
t
23VPH
4
100
100
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
LH28F320S3HNS-L11 32-MBIT(4MBx8/2MBx16)Smart 3 Flash MEMORY
LH28F320S3NS Smart voltage 32Mbit Flash Memory
LH28F320S3TD-L10 32 M-bit (2 MB x 8/1 MB x 16 x 2-Bank) Smart 3 Dual Work Flash Memory
LH28F320S3 32M (4M x8/2M x16)Smart 3 Flash Memory(32M (4M x8/2M x16) Smart3 技術(shù) 閃速存儲(chǔ)器)
LH28F320S5H-L 32M-BIT ( 2Mbit x16 / 4Mbit x8 )Boot Block Flash MEMORY(32M位( 2M位 x16 / 4M位 x8 )Boot Block 閃速存儲(chǔ)器)
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參數(shù)描述
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LH28F320S3HNS-ZM 功能描述:IC FLASH 32MBIT 110NS 56SSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869
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