參數(shù)資料
型號(hào)： LTE42008R
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN microwave power transistor
中文描述： C BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
文件頁(yè)數(shù)： 3/12頁(yè)
文件大小： 78K
代理商： LTE42008R
1997 Feb 24
3
Philips Semiconductors
Product specification
NPN microwave power transistor
LTE42008R
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CER
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
T
stg
T
j
T
sld
collector-base voltage
collector-emitter voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
collector current (DC)
total power dissipation
storage temperature
operating junction temperature
soldering temperature
open emitter
R
BE
= 250
open base
open collector
65
40
20
16
3
450
7.5
+200
200
235
V
V
V
V
mA
W
°
C
°
C
°
C
T
mb
≤
75
°
C
at 0.3 mm from case; t = 10 s
T
mb
≤
75
°
C.
(1) Region of permissible DC operation.
(2) Permissible extension provided R
BE
≤
250
.
Fig.2 DC SOAR.
handbook, halfpage
10
1
0.16
10
2
MGL060
1
Ι
ΙΙ
10
16
VCER (V)
IC
(A)
10
2
Fig.3
Power dissipation derating as a function of
mounting-base temperature.
handbook, halfpage
Ptot
(W)
MLA736
50
200
50
150
Tamb (
o
C)
0
7.5
100
5.0
2.5
0
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PDF描述
LTE42012R NPN microwave power transistor
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