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參數(shù)資料
| 型號： | LTE42008R |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN microwave power transistor |
| 中文描述： | C BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 文件頁數(shù)： | 5/12頁 |
| 文件大小： | 78K |
| 代理商： | LTE42008R |
1997 Feb 24
5
Philips Semiconductors
Product specification
NPN microwave power transistor
LTE42008R
Table 1
Common-emitter scattering parameters: V
CE
= 16 V; I
C
= 250 mA; T
mb
= 25
°
C; Z
o
= 50
; typical values
f
(MHz)
s
11
s
21
s
12
s
22
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
172.7
173.7
175.5
176.5
176.9
177.6
178.0
178.3
178.6
178.9
178.8
179.2
179.9
178.8
176.9
174.4
171.3
166.8
161.9
156.7
150.7
144.8
138.6
132.5
127.3
122.2
117.2
113.7
110.0
106.5
103.2
2000
2100
2200
2300
2400
2500
2600
2700
2800
2900
3000
3100
3200
3300
3400
3500
3600
3700
3800
3900
4000
4100
4200
4300
4400
4500
4600
4700
4800
4900
5000
0.80
0.79
0.79
0.80
0.79
0.79
0.78
0.77
0.75
0.73
0.71
0.67
0.64
0.60
0.56
0.52
0.49
0.47
0.46
0.48
0.51
0.56
0.61
0.67
0.71
0.76
0.79
0.81
0.82
0.82
0.82
160
157
155
153
151
150
148
147
146
144
143
143
141
141
142
143
146
149
154
159
161
162
161
158
155
152
147
143
140
136
132
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0.065
0.068
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0.074
0.079
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0.090
0.095
0.099
0.104
0.111
0.116
0.121
0.124
0.124
0.124
0.122
0.118
0.112
0.106
0.096
0.083
0.068
0.054
0.042
0.031
0.025
0.026
0.034
0.043
61.5
59.4
56.5
54.3
52.2
50.1
48.4
45.1
41.7
38.3
35.4
31.8
27.4
21.7
15.7
11.2
5.2
2.2
9.7
15.7
22.8
29.4
34.5
37.4
38.7
35.4
26.6
5.6
28.8
40.1
52.4
1.40
1.37
1.36
1.35
1.35
1.35
1.34
1.34
1.35
1.38
1.40
1.42
1.43
1.44
1.48
1.49
1.48
1.47
1.45
1.41
1.34
1.26
1.18
1.08
0.99
0.90
0.81
0.73
0.66
0.59
0.53
42.4
38.0
34.0
29.9
25.3
21.1
16.2
11.8
7.6
2.9
2.6
8.3
14.1
20.4
28.1
36.4
45.1
53.9
63.1
72.9
82.5
91.7
100.1
108.8
117.8
126.5
134.7
143.0
151.2
158.8
167.3
0.45
0.44
0.44
0.45
0.45
0.45
0.46
0.47
0.48
0.50
0.52
0.55
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0.70
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0.87
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0.94
0.96
0.97
0.98
0.99
0.99
0.99
0.99
0.99
0.98
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LTE42012R | NPN microwave power transistor |
| LTL2300HR | Optoelectronic |
| LTL2600HR | Optoelectronic |
| LTL2655HR | Optoelectronic |
| LTL2700Y | Optoelectronic |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| LTE42012R | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN microwave power transistor |
| LTE4206 | 制造商:LITEON 制造商全稱:Lite-On Technology Corporation 功能描述:SELECTED TO SPECIFIC ON-LINE INTENSITY AND RADIANT INTENSITY RANGES |
| LTE-4206 | 功能描述:紅外發(fā)射源 Infrared 940nm RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波長:880 nm 射束角:+/- 25 輻射強度: 最大工作溫度:+ 100 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:Side Looker 封裝:Bulk |
| LTE-4206_1 | 制造商:LITEON 制造商全稱:Lite-On Technology Corporation 功能描述:PHOTOTRANSISTOR |
| LTE4206C | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Optoelectronic |
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