參數(shù)資料
型號(hào)： LTE42008R
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN microwave power transistor
中文描述： C BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
文件頁(yè)數(shù)： 6/12頁(yè)
文件大?。?/td> 78K
代理商： LTE42008R
1997 Feb 24
6
Philips Semiconductors
Product specification
NPN microwave power transistor
LTE42008R
APPLICATION INFORMATION
Microwave performance up to T
mb
= 25
°
C in a common emitter class-A test circuit; note 1.
Notes
1.
2.
3.
4.
Circuit consists of prematching circuit boards in combination with complementary input and output slug tuners.
I
C
and V
CE
regulated.
Load power for 1 dB compressed power gain.
Low level power gain associated with P
L1
.
MODE OF OPERATION
f
(GHz)
V
CE
(V)
(2)
I
C
(mA)
(2)
P
L1
(mW)
(3)
≥
800 (29)
typ. 940 (29.7)
G
po
(dB)
(4)
≥
7
typ. 7.5
Z
i
(
)
Z
L
(
)
4 + j4
Class-A (CW)
4.2
16
250
7.5 + j40
Fig.4 Prematching test circuit board.
Dimensions in mm.
Input striplines on a double copper-clad printed-circuit board with PTFE fibreglass dielectric (
ε
r
= 2.54); thickness: 1.6 mm.
Output striplines on a double copper-clad Rexolite printed-circuit board with dielectric (
ε
r
= 2.4); thickness: 0.25 mm.
handbook, full pagewidth
MGK058
4.5
12.5
6.3
4.4
5.6
0.3
7
1.6
1
6.4
3.4
0.7
2
0.8
output
VSWR
<
3
Z0 = 50
input
VSWR
<
3
Z0 = 50
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