參數(shù)資料
型號(hào)： LTE42008R
廠(chǎng)商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： NPN microwave power transistor
中文描述： C BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
文件頁(yè)數(shù)： 8/12頁(yè)
文件大?。?/td> 78K
代理商： LTE42008R
1997 Feb 24
8
Philips Semiconductors
Product specification
NPN microwave power transistor
LTE42008R
Fig.9 Input impedance as a function of frequency for P
L1
; typical values.
V
CE
= 16 V; I
C
= 250 mA (regulated).
Z
o
= 50
; T
mb
= 25
°
C.
handbook, full pagewidth
0.2
0.5
1
2
5
10
∞
0.2
0.5
1
2
5
10
0
+ j
–
j
MCD629
2.5
4
3.5
3
2
1.5
1
Zi
1
0.5
4.2 GHz
0.2
10
5
2
Fig.10 Optimum load impedance as a function of frequency for P
L1
; typical values.
V
CE
= 16 V; I
C
= 250 mA (regulated).
Z
o
= 50
; T
mb
= 25
°
C.
handbook, full pagewidth
MCD628
2.5
4
3.5
3
2
1.5
ZL
0.2
0.5
1
2
5
10
∞
0.2
0.5
1
2
5
10
0
+ j
– j
4.2
0.5
1
0.2
10
5
2
1 GHz
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