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參數資料
| 型號： | LTE42008R |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN microwave power transistor |
| 中文描述： | C BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 文件頁數： | 9/12頁 |
| 文件大小： | 78K |
| 代理商： | LTE42008R |
1997 Feb 24
9
Philips Semiconductors
Product specification
NPN microwave power transistor
LTE42008R
PACKAGE OUTLINE
Dimensions in mm.
Torque on screw: Max. 0.4 Nm.
Recommended screw: M2.5.
(1) Flatness of this area ensures full thermal contact with bolt head.
Fig.11 SOT440A.
handbook, full pagewidth
MBC888
O 0.25 M
1
2
(1)
3.4
3.2
2.9
2.0
7.1
14.2
5.1
5.5
max
4.5
min
4.5
min
0.25 M
1.0
0.1
3.45
2.90
20.5 max
seating plane
3
1.7 max
4.5
max
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LTE42012R | NPN microwave power transistor |
| LTL2300HR | Optoelectronic |
| LTL2600HR | Optoelectronic |
| LTL2655HR | Optoelectronic |
| LTL2700Y | Optoelectronic |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| LTE42012R | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN microwave power transistor |
| LTE4206 | 制造商:LITEON 制造商全稱:Lite-On Technology Corporation 功能描述:SELECTED TO SPECIFIC ON-LINE INTENSITY AND RADIANT INTENSITY RANGES |
| LTE-4206 | 功能描述:紅外發(fā)射源 Infrared 940nm RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波長:880 nm 射束角:+/- 25 輻射強度: 最大工作溫度:+ 100 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:Side Looker 封裝:Bulk |
| LTE-4206_1 | 制造商:LITEON 制造商全稱:Lite-On Technology Corporation 功能描述:PHOTOTRANSISTOR |
| LTE4206C | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Optoelectronic |
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