參數(shù)資料
型號(hào)： M12S64322A-6TG
廠商： ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
中文描述： 2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PDSO86
封裝： 0.400 X 0.875 INCH, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-86
文件頁數(shù)： 35/46頁
文件大?。?/td> 746K
代理商： M12S64322A-6TG
ES MT
M12S64322A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date: May. 2007
Revision
:
1.0
35/46
Page Write Cycle at Different Bank @ Burst Length = 4
*Note : 1. To interrupt burst write by Row precharge , DQM should be asserted to mask invalid input data.
2. To interrupt burst write by Row precharge , both the write and the precharge banks must be the same.
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
C L O C K
C K E
C S
R A S
C A S
A D D R
W E
DQ
DQ M
A10/AP
BA1
BA0
: D o n ' t c a r e
*Not e 1
RAa
RBb
CAa
CBb
RD d
C C c
R C c
CD d
*Not e 2
DAa1
DAa0
DBb0 DBb1
DBb3
DDd0 DDd1
DAa2
DBb2
DCc0 DCc1
RAa
RBb
R C c
RD d
DAa3
CDd2
t
CD L
R o w A c t i v e
( A - Bank )
R o w A c t i v e
( B - B a n k )
W r i t e
( A - B a n k )
W r i t e
( B - B a n k )
R o w A c t i v e
( C - B a n k )
W r i t e
( C - B a n k )
P r e c h a r g e
( A l l B a n k s )
R o w A c t i v e
( D - B a n k )
W r i t e
( D - B a n k )
HIGH
t
RD L
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M12S64322A-7BG 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
M12S64322A-7TG 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
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M13S128168A-5T 2M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM
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參數(shù)描述
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