參數(shù)資料
型號： M12S64322A-6TG
廠商： ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
中文描述： 2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PDSO86
封裝： 0.400 X 0.875 INCH, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-86
文件頁數(shù)： 7/46頁
文件大小： 746K
代理商： M12S64322A-6TG
ES MT
M12S64322A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date: May. 2007
Revision
:
1.0
7/46
AC OPERATING TEST CONDITIONS
(V
DD
= 2.5V
±
0.2V
，
T
A
= 0 to 70° )
Parameter
Value
Unit
Input levels (Vih/Vil)
0.9 * V
DDQ
/ 0.2
V
Input timing measurement reference level
0.5 * V
DDQ
V
Input rise and fall-time
tr/tf = 1/1
ns
Output timing measurement reference level
0.5 * V
DDQ
V
Output load condition
See Fig. 2
(Fig. 1) DC Output Load Circuit
(Fig. 2) AC Output Load Circuit
OPERATING AC PARAMETER
(AC operating conditions unless otherwise noted)
Version
Parameter
Symbol
-6
-7
Unit
Note
Row active to row active delay
t
RRD(min)
12
14
ns
1
RAS to CAS delay
t
RCD(min)
18
20
ns
1
Row precharge time
t
RP(min)
18
20
ns
1
t
RAS(min)
42
42
ns
1
Row active time
t
RAS
(max)
100
us
Row cycle time
@ Operating
t
RC(min)
60
63
ns
1
Last data in to col. address delay
t
CDL(min)
1
CLK
2
Last data in to row precharge
t
RDL(min)
2
CLK
2
Last data in to burst stop
t
BDL(min)
1
CLK
2
相關PDF資料
PDF描述
M12S64322A-7BG 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
M12S64322A-7TG 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
M13S128168A 2M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM
M13S128168A-5BG 2M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM
M13S128168A-5T 2M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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M12S64322A-7TG 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
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