參數(shù)資料
型號： M12S64322A-6TG
廠商： ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
中文描述： 2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PDSO86
封裝： 0.400 X 0.875 INCH, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-86
文件頁數(shù)： 36/46頁
文件大?。?/td> 746K
代理商： M12S64322A-6TG
ES MT
M12S64322A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date: May. 2007
Revision
:
1.0
36/46
Read & Write Cycle at Different Bank @ Burst Length = 4
*Note : 1. t
CDL
should be met to complete write.
2. t
RCD
should be met.
C L O C K
C K E
C S
R A S
C A S
A D D R
W E
DQ
DQ M
A10/AP
BA1
BA0
CL =2
CL =3
Row Active
(A-Bank)
Read
(B-Bank)
: D o n ' t C a r e
QAa1 QAa2 QAa3
Ddb1 DDb2 DDd3
DDb0
QAa0
RAa
CBc
RAa
CAa
QAa1 QAa2 QAa3
Ddb1 DDb2 DDd3
DDb0
QAa0
W rite
(D-Bank)
HIGH
RD b
CD b
RBc
RBb
RAc
QBc0 QBc1 QBc2
QBc0 QBc1
Read
(A-Bank)
Row Active
(D-Bank)
Precharge
(A-Bank)
Row Active
(B-Bank)
t
CD L
t
RC D
*Not e 1
*Not e 2
1
9
2
10
3
4
5
6
7
8
11
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15
18
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19
0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M12S64322A-7BG 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
M12S64322A-7TG 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
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M13S128168A-5BG 2M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM
M13S128168A-5T 2M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM
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參數(shù)描述
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