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參數(shù)資料
| 型號： | M12S64322A-6TG |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PDSO86 |
| 封裝： | 0.400 X 0.875 INCH, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-86 |
| 文件頁數(shù)： | 4/46頁 |
| 文件大?。?/td> | 746K |
| 代理商： | M12S64322A-6TG |
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ES MT
M12S64322A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date: May. 2007
Revision
:
1.0
4/46
DQM0~3
DQ
Mode
Register
C
Column
Address
Buffer
&
Refresh
Counter
Row
Address
Buffer
&
Refresh
Counter
Bank D
Bank C
R
Bank A
Bank B
Sense Amplifier
Column Decoder
Data Control Circuit
L
I
B
Address
Clock
Generator
CLK
CKE
C
CS
RAS
CAS
WE
BLOCK DIAGRAM
PIN DESCRIPTION
PIN
NAME
INPUT FUNCTION
CLK
System Clock
Active on the positive going edge to sample all inputs
CS
Chip Select
Disables or enables device operation by masking or enabling all
inputs except CLK , CKE and DQM0-3.
CKE
Clock Enable
Masks system clock to freeze operation from the next clock cycle.
CKE should be enabled at least one cycle prior new command.
Disable input buffers for power down in standby.
A0 ~ A10
Address
Row / column address are multiplexed on the same pins.
Row address : RA0~RA10, column address : CA0~CA7
Selects bank to be activated during row address latch time.
Selects bank for read / write during column address latch time.
BA0 , BA1
Bank Select Address
RAS
Row Address Strobe
Latches row addresses on the positive going edge of the CLK with
RAS low.
Enables row access & precharge.
Latches column address on the positive going edge of the CLK with
CAS low.
Enables column access.
CAS
Column Address Strobe
WE
Write Enable
Enables write operation and row precharge.
Latches data in starting from CAS ,
WE
active.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M12S64322A-7BG | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12S64322A-7TG | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M13S128168A | 2M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| M13S128168A-5BG | 2M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| M13S128168A-5T | 2M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M12S64322A-7BG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12S64322A-7TG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12SW | 功能描述:測試接頭 Modular Oscilloscope RoHS:否 制造商:Murata 連接器類型: 設備類型: 顏色: 觸點材料: |
| M12T-04BFFB-SL7002 | 功能描述:CONN PLUG FMALE 4POS GOLD SCREW 制造商:amphenol ltw 系列:M 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 連接器類型:插頭，母型插口 針腳數(shù):4 外殼尺寸 - 插件:M12-4 外殼尺寸，MIL:- 安裝類型:自由懸掛 端接:螺釘 緊固類型:有螺紋 朝向:T 侵入防護:IP67 - 防塵，防水 外殼材料，鍍層:鋅合金，鍍鎳 觸頭鍍層:金 特性:底殼，聯(lián)接螺母 電壓 - 額定:60VDC 額定電流:12A 觸頭鍍層厚度:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 標準包裝:10 |
| M12T-04BMMB-SL7002 | 功能描述:CONN RCPT MALE 4POS GOLD SCREW 制造商:amphenol ltw 系列:M 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 連接器類型:插座，公形引腳 針腳數(shù):4 外殼尺寸 - 插件:M12-4 外殼尺寸，MIL:- 安裝類型:自由懸掛 端接:螺釘 緊固類型:有螺紋 朝向:T 侵入防護:IP67 - 防塵，防水 外殼材料，鍍層:鋅合金，鍍鎳 觸頭鍍層:金 特性:后殼 電壓 - 額定:60VDC 額定電流:12A 觸頭鍍層厚度:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 標準包裝:10 |
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